本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体...

载置台构造和处理装置。在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112)，由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔...

本发明提供一种采用简单的构造就能将排气流量从小流量切换成大流量的真空排气用的球阀和真空排气装置。自由转动地设置球部件(41)，以成为吸气端口(33)和排气端口(34)之间通过所述贯通路(45)连通的全开状态；两个端口(33、34)之间被...

本发明提供等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法、腔室内部件和基板载置台、以及具备它的等离子体处理装置。其将等离子体处理中使用的各种部件的温度从等离子体处理开始的阶段控制为最佳温度。其为对被处理基板实行等离子体处理的等离子体处理装置...

本发明涉及一种基板输送装置。其中，涂覆装置能够在装置内随时或适时地、自动且有效率地去除上浮工作台上的吸引口的堵塞。在上浮工作台吸引口扫除动作中，控制器在将与涂覆处理相关的动作暂时全部设为停止状态后使第2供气部工作。通过使第2供气部工作，...

本发明提供一种狭缝喷嘴清洗装置，能够短时间有效清洗狭缝喷嘴的喷出口周边部。该狭缝喷嘴清洗部(52)具有沿着狭缝喷嘴(32)的喷出口周边部在与狭缝喷嘴的长边方向平行的水平的清洗扫描方向(Y方向)移动的滑动架(64)。狭缝喷嘴清洗部(52)...

本发明提供一种在抑制颗粒的产生的同时、自动且有效率地清扫狭缝喷嘴的狭缝内部的狭缝喷嘴清扫装置以及涂覆装置。狭缝喷嘴清扫装置(70)包括：喷嘴清扫单元(56)、用于使整个启动加注处理部在基板输送方向(X方向)上移动的X方向移动部(54)以...

本发明提供一种成膜方法、成膜装置和成膜装置的使用方法，该成膜方法交替重复多次成膜处理和氧化吹扫处理，该成膜处理在处理容器内使用Si源气体和氧化剂在被处理体的表面形成SiO2膜，该氧化吹扫处理在将上述被处理体自上述处理容器搬出的状态下，不...

本发明提供一种能够取得高生产率的显影装置和显影方法。该显影装置包括：气密的处理容器，其用于形成处理气氛；气氛气体供给部，其为了在搬入到上述处理容器内的基板的表面上使显影液结露而形成液膜，向该处理容器内供给显影液雾沫；干燥部，其为了使通过...

本发明提供一种基板输送装置和基板输送方法。当从基板载置部接收基板时可靠地检测出基板的姿势是否为异常状态。使所述叉部件(3A)沿着基体(31)前进，并且相对于保持晶片(W)的支承销(73)上升，从而在叉部件(3A)上接收该支承销(73)上...

加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法，本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用...

本发明提供一种硅基板上的图案修复方法和硅基板上的图案修复装置，能够将在通过蚀刻形成于硅基板上的图案之间生长的异物除去，使该图案的形状恢复。该硅基板上的图案修复方法，具有将硅基板收容于腔室内，将硅基板加热到160℃以上的加热工序。

本发明提供基板输送装置及基板输送方法，在以张的形式1张1张地水平输送被处理基板的基板处理装置中缩短了从基板搬入到输送开始的生产节拍时间并提高了生产率。该基板输送装置具有：悬浮用载物台，其使被处理基板悬浮；一对导轨，其平行配置在悬浮用载物...

本发明提供闸阀及使用该闸阀的基板处理装置。其能够微调基板搬入搬出口的周围的壁面与阀体之间的间隙。闸阀(200)构成为利用凸轮机构(260)使阀体(210)进退来开闭基板搬入搬出口(112)。凸轮机构具有：纵长构件(261)，其沿与阀体的...

本发明提供一种支承体机构，其当支承半导体晶片等被处理体时，能够防止在其背面(下面)出现划痕和划伤等。在用来支承板状的被处理体W的支承体构造中包括：用来承受被处理体的负载的支承体主体104；在支承体主体的上面形成的多个凹部状的支承体收纳部...

本发明提供基板清洁方法及基板清洁装置。该基板清洁方法及基板清洁装置在利用等离子体蚀刻形成包含硅层的暴露部的图案时，不对图案产生损伤就能够除去副生成物和除去残留氟。该基板清洁方法在利用等离子体蚀刻形成基板上的图案之后清洁基板的表面，该基板...

本发明提供一种基板处理装置的制造方法以及聚焦环的制造方法，其能够充分改良聚焦环和载置台之间的热传导效率，其中，所述基板处理装置包括：收纳基板的收纳室；配置在该收纳室内的用于载置所述基板的载置台；和以包围所述被载置的基板的周边部的方式载置...

本发明提供即便加上干扰也能够稳定正确地计算蚀刻量的蚀刻量计算方法和蚀刻量计算装置。在用掩膜（１３１）形成沟槽（１３２）的晶片（Ｗ）的蚀刻中，将激光（Ｌ↓［１］）照射在晶片（Ｗ）上，接受叠加了掩膜干涉光和沟槽干涉光的叠加干涉光，计算叠加干...

本发明提供了一种在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气态膜前驱体引入处理空间；将所述处理空间的体积从第一体积增至第二体积以形成增大的处理空间；将还原气体引入所述增大的处理空间；由所述还原气体形成还原等离子体。用于气...