本实用新型提供一种电路的断路开关电气设备，不会引起配电盘面积的增大、不实施复杂的配线动作，就能够将配线断路器和电磁开关器紧凑地收纳在配电盘内，还可以降低配线错误、配线组装工时。在用于使为了向电气负载侧提供电力而使用的电路断路以及导通和断...

一种用于使电介质膜固化的多步系统和方法，其中该系统包括被配置 成用于减少电介质膜中的污染物(例如水分)的量的干燥系统。该系统还 包括与干燥系统耦合的固化系统，该固化系统被配置成通过紫外(UV) 辐射和红外(IR)辐射处理电介质膜来固化该...

本发明提供了一种在间断式沉积工艺中在衬底上选择性地形成含硅膜的方法。该方法包括：提供包含生长表面和非生长表面的衬底；通过将衬底暴露于ＨＸ气体同时将衬底暴露于氯化硅烷气体脉冲，在生长表面上选择性地形成含硅膜。该含硅膜可以是硅膜或硅锗膜，所...

本发明提供一种在接合多片板材而构成的真空容器中，能够充分确保转角部气密性的密封装置。在筐体（７０）的转角部，通过环线形状部（８０ｂ）能够确保接合部ＪＣ的气密性。作为用于固定环线形状部（８０ｂ）的辅助器具，使用具有被固定在筐体（７０）的转...

左视图与右视图对称，故省略左视图。 仰视图与俯视图对称，故省略仰视图。

1.左视图与右视图对称，省略左视图。 2.仰视图与俯视图对称，省略仰视图。

1.左视图与右视图对称，省略左视图。 2.仰视图与俯视图对称，省略仰视图。

1.本外观设计的主体是石英材料，且为透明的。 2.后视图与主视图对称，省略后视图。

描述了一种用于半导体制造中的服务过程的活动管理系统及其使用方法。该活动管理系统包括数据采集系统，其被配置为接收与至少一个服务部件和服务操作者相关联的服务活动数据，并将服务活动数据与至少一个服务账目相关。另外，该活动管理系统包括耦合到数据...

本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异，并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置（１）具有设置于处理容器（１１）上部的与载置台（２）相对置的第１电极（３１）以及第２电极（３２）、对第１电极（３１）和第２...

即使是探针与电极焊盘多次接触的情况下，通过适当地修正探针接触位置的位置偏移，就能够使得探针总是保持最合适的接触位置。在探测检查装置（１００）中，用ＣＣＤ照相机（６）拍摄探针（８ａ）与芯片（３０）的各焊盘（４０）接触前图像（５１）和接触后...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开...

提供一种控制排气流量使得处理腔室内的气体的流动均匀的方法。本发明的排气流量的控制方法是具有压力表以及多条排气管道的处理腔室的排气流量的控制方法，包括以下步骤：利用所述压力表测定处理腔室内的压力；按照测定出的所述处理腔室内的压力成为预定的...

一种供应处理气体的方法，其包括其中生成取决于温度而可聚合的处理气体的步骤，和其中将由此生成的处理气体供应给配置成在减压大气下对被处理物体Ｗ进行预定处理的处理装置４。将处理气体供应给处理装置４时，处理气体的流速通过使用其中供应压力的适当操...

本发明提供半导体装置以及其制造方法。该半导体装置的特征在于，包括基板、布线层、铜扩散阻挡膜和低介电常数绝缘膜；上述布线层形成在基板上，由铜或铜合金构成；上述铜扩散阻挡膜形成在上述布线层上，由利用ＣＶＤ成膜而成的无定形碳膜构成，该ＣＶＤ采...

本发明提供一种在较低地抑制相对介电常数的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜和具备该膜的半导体装置、以及成膜非晶碳膜的技术。在成膜时一边控制Ｓｉ（硅）的添加量一边成膜非晶碳膜。因此，可得到在将相对介电常数抑制在３．３以下的较低值的同...

本发明提供一种半导体器件制造装置及其制造方法。使密封部件（２１）上升而使密封部件（２１）的边缘部（２１ａ）与支承部件（１３）的接触面（１７ａ）接触，在隔离了精密排出喷嘴（５）的状态下，使排气装置（４１）动作，将腔（１）内减压排气至规定的...

本发明提供一种液体原料气化器以及使用该液体原料气化器的成膜装置，在使液体原料的液滴通过通气性部件而气化时，能够使整个通气性部件的温度变得均匀，能够防止因气化不完全引起的网眼堵塞。液体原料气化器（３００）具有：使液体原料成为液滴状并向气化...

本发明解决了以往存在无法容易地将可同步执行的指令和可异步执行的指令相结合执行所期望的处理的问题。本发明的信息处理装置，包括：画面构成部（１０２），其构成用于接收同步指定信息的画面，所述同步指定信息是针对存储在指令存储部（１０１）中的指定...

本发明制造能量转换效率高的太阳能电池。将在作为Ｐ型层的多晶硅基板上形成的成为ｎ型层多晶硅层的表层，使用等离子体进行氧化处理，然后利用ＣＶＤ处理堆积硅氮化膜，由此在多晶硅层的表层形成钝化膜。使用１０ｅＶ以下的鞘层电位的等离子体，在压力是６...