本发明提供一种服务器装置，在进行了配方内容的变更的情况下，进行该变更相关的注意唤起。服务器装置（２０）具备：至少存储有在制造装置中所使用的配方的配方存储部（２４）；在制造装置的配方内容被变更的情况下接收变更后的配方的配方接收部（２３）；...

本发明提供一种成膜方法，具有：使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序；向基板（１）上供给一价的羧酸金属盐气体而沉积一价的羧酸金属盐膜（２）的工序；以及对沉积有一价的羧酸金属盐膜（２）的基板（１）提供能量，将一价的羧...

真空处理装置包括：预备真空室，其内部压力能够被切换为常压和负压，衬底被运入运出该预备真空室；对衬底进行各种处理的多个真空处理室；真空运送室，其与预备真空室以及多个真空处理室连接，并包括在预备真空室和多个真空处理室之间运送衬底的衬底运送机...

本发明提供高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法。该高电介质膜的形成方法包括：在基板上使用有机金属原料以３５０℃以下的温度通过ＡＬＤ或ＣＶＤ形成高电介质膜的工序；和在低压的含氧气氛中向高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序。另外...

本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效／快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底（Ｗ）上通过微波等离子体ＣＶＤ法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置（１００），所...

解决以往无法有效且迅速地调节半导体制造参数的问题。一种信息处理装置，包括：目标值接受部（１０１），其接受半导体制造工艺的一个以上种类的目标值；参数获取部（１０２），其获取执行半导体制造工艺时的一种以上种类的参数的值；执行结果获取部（１０...

本发明提供一种电源装置，其特征在于，包括：交流／直流变换部，将交流电压变换为直流电压；开关电路，具有多个开关元件，在直流电压被输入时上述各开关元件产生导通、断开循环，根据所述各开关元件的导通、断开的组合输出脉冲状电压；和控制部，进行移相...

上位ＰＣ（１００）与控制多个ＰＭ或者ＴＭ的多个下位ＰＣ（２００）连接。上位ＰＣ（１００）根据来自下位ＰＣ（２００）的画面的操作要求，判断是否将操作权分配给提出要求的下位ＰＣ（２００）。

本发明提供半导体装置的制造方法和半导体装置，其能够不对元件构造部造成损伤地除去侧壁隔离膜等。半导体装置的制造方法包括：在被处理基体（２１）上形成由ＧｅＣＯＨ或者ＧｅＣＨ构成的第一薄膜的工序；除去该第一薄膜的一部分，形成残留部（３０）的工...

本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件（陶瓷构件或多孔质气体流通体）被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无...

本发明提供一种能够维持高成膜速率，并且维持高度的膜厚的面内均匀性的等离子体成膜装置。这样的等离子体成膜装置具有可被抽真空的处理容器（４４）、用于载置待处理体（Ｗ）的载置台（４６）、被安装在顶部的由透过微波的电介体构成的顶板（８８）、导入...

本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。在能够真空排气的处理容器（１０）内将上部电极（３４）和下部电极（１６）以相对的方式配置，上部电极（３４）与供给等离子体形成用的高频电力的第一高频电源（４８）连接，下部电极（１６）与施加离...

一种形成半导体器件的方法包括：在真空处理工具中提供衬底，该衬底具有在衬底上的应变含Ｇｅ层和在应变含Ｇｅ层上的含Ｓｉ层；将衬底维持在低于７００℃的温度下；以及在ＵＶ辅助氧化工艺中将含Ｓｉ层暴露于氧化基，以在最小化下层的应变含Ｇｅ层中的氧化...

本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在５～２０％范围，并且处理压力在２６７Ｐａ以上４００Ｐａ以下的范围的条件...

本发明的探针卡包括：支承板，支承与被检查体接触的探针；电路基板；保持部件，保持支承板的外周部的下表面；以及抵接部件，被配置在保持部件与支承板的外周部的下表面之间，并向上方突出而与支承板的外周部的下表面抵接。因而，容许了支承板自身向水平方...

在具有电路基板以及支撑触头的支撑板的探针卡的上表面一侧设置有加强部件。在加强部件的外周部形成有多个长孔的导向孔。在导向孔内设置有被固定在保持部件上的固定部件以及被设置在固定部件的外周的套管。导向孔的长度方向上的长度比套管的直径长，导向孔...

本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载...

本发明提供等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置。该等离子体氧化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，在处理气体中的氧的比例在２０％以上、且处理压力在４００Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下的条件下形成等离子体，利用上述等离子体，对露出在被处理...

本发明提供硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质， 能够不损失等离子体氧化处理的优点地形成绝缘耐性优异、能够提高 半导体装置的成品率的膜质优异的硅氧化膜。该硅氧化膜的形成方法 包括：第一氧化处理工序，其以处理气体中的氧的比例为1...

本发明的探针具有被支撑部单臂支撑的梁部以及从梁部的自由端部向直角方向下方延伸的触头。在触头的靠梁部的固定端部侧的侧部形成有外侧切口部，在触头的靠梁部的自由端部侧的侧部形成有内侧切口部，外侧切口部和内侧切口部被形成为使触头在触头以预定的接...