东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构,具备:加热板(21),其具有被处理基板载置面(21a),埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体,并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a);调温...
  • 本发明提供一种成膜装置的排气系统结构、成膜装置和排出气体的处理方法。该成膜装置的排气系统结构,具有排出处理容器(11)内的排出气体的排气管(51),设置于排气管(51)的处理容器(11)附近的自动压力控制器(52),设置于排气管(51)...
  • 公开的顶板设置在内部能够抽成真空的等离子体处理装置的处理容器的顶部的开口部处并被一体化,所述顶板包括:多个气体通路,沿顶板的平面方向形成;以及气体喷出孔,与多个气体通路连通并在顶板的面对处理容器内部的第一面上开口。
  • 本发明是一种半导体器件的制造方法,其特征在于,具备:在基板上涂覆将高分子导电材料溶解到绝缘性溶媒中而得到的涂覆液,在该基板上形成涂覆膜的涂覆膜形成工序(a);在涂覆膜形成工序(a)之后进行的对上述涂覆膜进行热处理的热处理工序(b);在一...
  • 通过在缓和应力的同时具有高密封能力并且不改变有机元件特性的保护膜来保护有机元件。在基板处理装置Sys中,包括沉积装置PM1、第一微波等离子体处理装置PM3以及第二微波等离子体处理装置PM4的基板处理装置10被配置成群集构造,并且在将从基...
  • 半导体装置的制造方法,包括以下步骤:在半导体衬底上,形成突状形式的绝缘层,所述突状形式的绝缘层具有面以及从所述面向上方直立起来的直立面;以覆盖所述突状形式的绝缘层的方式形成导电层;以及在大于等于85mTorr的高温条件下,对所述半导体衬...
  • 本发明提供一种载置台结构,可以防止在载置台中产生很大的热应力,防止该载置台自身发生破损,并且可以抑制防腐蚀用的吹扫气体的供给量。载置台结构(54),设于处理装置(20)的处理容器(22)内,用于载置应当处理的被处理体(W),该载置台结构...
  • 本发明提供一种构造简单且能够使热效率提高的汽化器。汽化器(8)具备:雾状地喷出液体原料的喷嘴单元(72);具有使原料雾汽化形成原料气体的多个汽化通路(74)的汽化单元(76);和向后段送出原料气体的排出头(78)。汽化单元具备:形成有汽...
  • 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法,以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2~3的方式进行成膜后,在含有0.001%~80%的O2的气氛中,在500℃以上进行退火。此外,以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶...
  • 本发明的半导体装置的制造方法的特征在于,具备:在作为绝缘膜形成材料的涂覆液中,使带正电或负电并且浮力大致为零的微小的气泡产生的工序;将包括所述气泡的涂覆液涂覆在基板上而形成涂覆膜的工序;和在所述气泡消失前,通过对所述基板进行加热而烘焙所...
  • 本发明的退火装置具有:处理室(1),其容纳晶片(W);加热源(17a、17b),其被设置成面向晶片(W)的面,并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33);透光部件(18a、18b),其对应于上述加热源(17a、17b)地设置,并使来自...
  • 本发明提供处理气体供给系统及处理装置。处理气体供给系统(2)向气体使用系统(4)供给利用稀释气体稀释后的处理气体。处理气体供给系统(2)包括:处理气体罐(10)、稀释气体罐(12)、连接处理气体罐(10)和气体使用系统(4)的主气体通道...
  • 本发明提供一种基板处理装置,其包括:真空容器;旋转台,其在上述真空容器内进行旋转;基板载置构件,其能够装卸自如地安装在上述旋转台上,在上述旋转台的上表面侧提供与上述旋转台成为一体的用于载置基板的凹部,该基板载置构件构成在上述凹部内载置上...
  • 原料气体供给系统(6),对成为减压环境的气体使用系统(2)供给原料气体。系统具有:存留液体原料或者固体原料的原料罐(40)、一端与原料罐连接而另一端与气体使用系统连接的原料通路(46)、向原料罐内供给运载气体的运载气体供给机构(54)、...
  • 本发明可能是一种半导体设备,包含氟化绝缘膜和直接沉积在包括含氟绝缘膜上的SiCN膜,其中在SiCN膜中的氮密度从氟化绝缘膜和SiCN膜界面降低。在本发明中,靠近SiCN膜和CFX膜的界面具有高抗氟性,并且作为一个整体具有低介电常量,Si...
  • 本发明提供一种立式成膜装置及其使用方法。该立式成膜装置的使用方法在不存在产品用被处理体的状态的处理容器内,进行用覆膜包覆处理容器的内壁的覆膜处理,接着,在收纳有保持了产品用被处理体的状态的保持构件的处理容器内,进行在产品用被处理体上形成...
  • 本发明提供一种等离子处理装置。该装置对于从处理容器内的高频电极和其他电子构件进入到供电线、信号线等线路中来的高频噪声,能够将并联谐振频率任意错开地进行调整,从而能够高效且稳定可靠地阻断不同频率的高频噪声中的所有高频噪声。滤波器(102(...
  • 本发明公开了用多元分析对来自半导体处理系统的计量数据进行变形。来自半导体处理系统的计量数据被利用多元分析进行变形。具体地,获得对用处理系统处理的一个或多个衬底测量或模拟的计量数据组。用多元分析对所获得的计量数据组确定一个或多个关键变量。...
  • 本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法,该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方,隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4...
  • 1.外观设计产品名称:基板保持件。2.外观设计产品的用途:本外观设计产品是可交换安装在基板搬送臂上的基板保持件,在使用基板搬送臂搬送圆形的基板时,控制基板的位置并支撑基板,防止基板飞出。3.外观设计的设计要点:本外观设计的设计要点在于产...