以往的服务器装置存在无法有选择地输出与子配方对应的选择信息的问题。本发明提供一种服务器装置，具备：测定信息保存部（１２０１），其可保存多个测定信息，该测定信息是具有由制造装置（１１）执行规定配方时的测定值和表示时刻的时刻信息的信息；指示...

以往的服务器装置中，存在无法恰当地指定使测定信息成为输出对象的期间的问题。本发明提供一种服务器装置，是构成具备对被处理基板进行规定处理的一个以上制造装置（１１）的群管理系统的服务器装置（１２），其具备：测定信息保存部（１２０１），其能够...

在本发明中，将在其上已经形成了抗蚀剂膜的衬底转移到光刻机并经受曝光处理。该衬底然后在第二处理系统中经受曝光后烘。然后再将该衬底转移到光刻机并经受曝光处理。已经完成了第二次曝光处理的衬底被转移到第一处理系统并再次经受曝光后烘。第一次和第二...

本发明的目的在于使得特别是能够在圆周方向上调节在等离子体处理装置的处理室内生成的等离子体密度。一种等离子体处理装置（１），其中从同轴波导管（３０）供应的微波经由滞波板（２５）被导入处理容器（２）内，在处理容器（２）内处理气体被等离子化，...

本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层（衬底膜）（１３）所...

本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置和计算机程序。制造铜膜与其基底膜的密合性良好而且配线间的电阻小的半导体装置。将包括吸收有大气中的水分的多孔质绝缘膜（ＳｉＯＣ膜１１），在该绝缘膜上形成有槽（１００）的基...

本发明提供可以更为彻底地防止等离子体倒流的产生、能够实现效率良好的等离子体激发的喷淋板。喷淋板（１０５）配置于等离子体处理装置的处理室（１０２）中，具备为了在处理室（１０２）中产生等离子体而放出等离子体激发用气体的多个气体放出孔（１１３...

描述了一种用于制造负电荷等离子体的处理系统，其中，制造了具有负电荷离子的静止等离子体。该处理系统包括用于利用第一处理气体产生等离子体的第一室区域，以及通过分离构件与第一室区域分离的第二室区域。来自第一区域中的等离子体的电子被传输至第二区...

本发明提供一种对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：形成进行等离子体处理的处理空间（１）的金属制处理容器（２）；设置在处理空间（１）内，载置被处理基板（Ｗ）的基板载置台（３）；从处理空间（１）遮蔽金属制...

本发明提供一种对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。该装置包括：形成有处理空间（１５）的处理容器（２）；设置在处理空间（１５）内、用于载置被处理基板（Ｗ）的基板载置台（３）；处理空间形成部件（１６），设置在内部空间（１５）内，...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够在通过电负性气体进行等离子体处理时，控制等离子体中的离子密度，比现有技术进一步提高等离子体处理的面内均匀性。将作为电负性气体的处理气体从处理气体源（１７０）导入到处理室（１０２）内，...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。在盒载置于盒载置部之后，从控制装置向基板处理装置指示盒内的基板处理的开始。其后，从控制装置向基板处理装置，指示基板处理结束时要被搬送到的盒载置部的盒。在基板剩余处理工序数达到预定的设定数时，若还...

本发明的成膜装置（１００）具备收容晶片（Ｗ）的处理腔室（２）、向处理腔室（２）内供给含有Ｃｕ原料气体和Ｍｎ原料气体的气体的气体供给部（１０）、向处理腔室（２）内导入来自气体供给部（１０）的气体的喷头（４）、和对处理腔室（２）内进行排气的...

本发明提供一种缝隙天线方式的微波等离子体处理装置（１００），其具备：构成扁平波导管的平面天线板（３１）及由导电性构件制成的外罩（３４）。外罩（３４）具备用于调整扁平波导管内的电场分布的作为第二波导管的短截线（４３）。短截线（４３）设有由...

本发明提供一种无定形碳膜的后处理方法，其特征在于，其是在基板上成膜后施加了伴随加热的处理的无定形碳膜的进一步的后处理方法，该方法在进行伴随加热的处理后，立即进行防止无定形碳膜氧化的处理。

本发明提供一种被处理体处理系统及其控制方法。该被处理体处理系统是对被处理体进行规定处理的处理系统，其特征在于，具备对被处理体进行处理的一个或多个处理装置以及对上述处理装置进行控制的控制器，上述控制器构成为在该控制器的电源被切断时能够将构...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：将基板载置在密封状态的处理容器内的基板载置工序；向上述处理容器内供给水蒸气，并向上述处理容器内供给由铜的有机化合物组成的原料气体，在上述基板上形成铜的紧贴层的第一成膜工序；将...

描述了一种用于使衬底上的低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介电膜固化的方法，其中，ｌｏｗ－ｋ介电膜的介电常数比约４的值更低。所述方法包括将ｌｏｗ－ｋ介电膜暴露于紫外线（ＵＶ）辐射。在ＵＶ暴露之后，将介电膜暴露于ＩＲ辐射。

本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板２１，其具有被处理基板载置面２１ａ，并且埋设有将被处理基板Ｗ加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体２１ｂ；和调温...

本发明涉及一种用于将Ｒｕ金属的选择性沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Ｃｕ中的电迁移和应力迁移的方法。该方法包括利用包含Ｒｕ３（ＣＯ）１２前躯体蒸汽和ＣＯ气体的处理气体通过热化学气相沉积工艺在金属化层（３０２）或块Ｃｕ（３２２）上选择...