等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种缝隙天线方式的微波等离子体处理装置（１００），其具备：构成扁平波导管的平面天线板（３１）及由导电性构件制成的外罩（３４）。外罩（３４）具备用于调整扁平波导管内的电场分布的作为第二波导管的短截线（４３）。短截线（４３）设有由导电性构件制成的外罩（３４）。短截线（４３）在俯视时，配置于与构成排列于平面天线板（３１）的最外周的缝隙对的缝隙（３２）重合的位置。利用短截线（４３）的合适的配置，可以控制扁平波导管内的电场分布而生成均匀的等离子体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过具有多个缝隙的平面天线向处理容器内导入微波，由此产生等离子体，利用该等离子体对被处理体进行处理的等离子体处理装置。
技术介绍
作为对半导体晶片等被处理体进行氧化处理或氮化处理等等离子体处理的等离 子体处理装置，已知有使用缝隙天线向处理室内导入规定频率、例如2. 45GHz的微波而在 处理室内生成等离子体的等离子体处理装置(例如参照日本特开平11-260594号公报、日 本特开2001-223171号公报)。此种微波等离子体处理装置中，通过生成等离子体密度高的 等离子体，可以在腔室内形成表面波等离子体。在上述缝隙天线方式的等离子体处理装置中，即使是使相同规格的装置在相同的 条件下工作，也会在装置间在等离子体分布方面产生一些差别。另外，如果在等离子体处理 装置中变更进行处理的条件，则处理室内的等离子体就容易变得不稳定或不均勻。为了在 变更后的处理条件下生成稳定的等离子体，必须变更缝隙天线的缝隙的配置及形状以及微 波透过板的形状等，从而会有在每个加工中都需要很大的装置改变的问题。另外，在处理特 别大型的半导体晶片等基板的情况下，如果在处理室内等离子体变得不稳定或不均勻，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：处理容器，其收容被处理体，并可以抽真空；透过板，其气密性地安装于所述处理容器的上部的开口中，使用于产生等离子体的微波透过；平面天线，其与所述透过板的上面相接触或者相邻近地配置，用于将微波导入所述处理容器内，且具有由导电性材料制成的平板状基材，形成有贯穿该平板状基材的多个缝隙；导电性构件，其从上方覆盖所述平面天线；第一波导管，其贯穿所述导电性构件而设置，向所述平面天线供给来自微波发生源的微波；至少一个第二波导管，其调节所述平面天线中的电场分布。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田龙作，足立光，中西敏雄，植田笃，康松润，保罗莫罗兹，彼得文特泽克，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]