【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于对被处理基板实施规定的等离子体处理的等离子体处理方 法和等离子体处理装置。
技术介绍
通常，在半导体装置的制造工序中，对半导体晶片(以下，也简称为“晶片”)、玻璃 基板等被处理基板，反复进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改质处理、结晶化处理等各种处 理，由此形成期望的半导体集成电路。在上述的各种处理中的例如蚀刻处理工序中，多使用等离子体蚀刻处理方法(例 如参照专利文献1)，即，将规定的蚀刻气体作为处理气体从设置于处理室的上部的喷淋头 导入到处理室内，通过高频电力等将该蚀刻气体等离子体化，使该等离子体作用于被处理 基板，蚀刻形成于被处理基板的表面的膜。具体而言，例如在对形成于硅(Si)晶片上的氧化硅(Si02)膜等氧化膜进行等离 子体蚀刻的情况下，能够选择性地获得优良的微细形状的CF4气体等碳氟化合物类气体作 为蚀刻气体被广泛地使用。使这样的碳氟化合物类气体等离子体化时，在等离子体中产生 多个离子(例如CF3+)，通过该离子，选择地对被处理基板上的氧化硅进行蚀刻。然而，近年来随着半导体器件的微细化和高集成化，对提高被处理基板的处理的 面内均勻性...
【技术保护点】
一种等离子体处理方法，将作为电负性气体的处理气体导入到处理室内形成等离子体来对被处理基板实施规定的等离子体处理，其特征在于：将与所述处理气体相比电子附着系数大的电负性气体作为添加气体与所述处理气体一起导入到所述处理室内形成等离子体，此时通过调整所述添加气体相对于所述处理气体的流量来控制所述等离子体中的离子密度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上雅人，永关澄江，伊藤融，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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