【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片加工工艺，尤其涉及。
技术介绍
在硅片的刻蚀工艺中，刻蚀前后硅片表面的洁净程度在很大程度上决定了芯片的 良率。然而，由于在刻蚀过程中刻蚀工艺所产生的工艺副产物掉落在硅片表面以及腔室壁 中颗粒被等离子轰击后掉落在硅片表面等原因，硅片的表面并不是洁净的，往往存在着颗 粒。此情况在易产生明显副产物的刻蚀工艺中如STI (aiallow Trench Isolation，浅沟槽 隔离)工艺/Etctiback(回刻)工艺等就更为明显。这些颗粒会在刻蚀过程中阻挡刻蚀的顺 利进行，成为局部刻蚀的阻挡层，从而产生刻蚀缺陷。图1为现有STI工艺加工的硅片的缺 陷扫描图，图中圆形区域表示所加工的硅片，区域中的不同颜色的点表示不同尺寸的缺陷。 如图1可知，所加工的硅片中由于颗粒产生的刻蚀缺陷约为50个。刻蚀缺陷影响芯片的加 工质量，降低了产品的良率，特别是随着半导体行业的发展，芯片的关键尺寸减小，因附着 颗粒造成的缺陷更加明显。因此，如何清除刻蚀过程中硅片表面的颗粒、降低刻蚀缺陷具有 重要意义。现有的一种解决方法是干法清洗，即利用充满整个腔室的高活性气体等...
【技术保护点】
一种硅片的刻蚀方法，其特征在于，包括：在刻蚀工艺中产生副产物的刻蚀步骤后，增加在预定的上电极功率、下电极功率和压强的条件下，降低刻蚀气体的流量并增加惰性气体的过渡步骤；在所述过渡步骤之后，去除所述刻蚀气体，并使用所述惰性气体进行冲刷，将刻蚀工艺过程中产生的工艺副产物和刻蚀中腔室壁中颗粒被等离子体轰击后悬浮在等离子体中的颗粒带走。
【技术特征摘要】
1.一种硅片的刻蚀方法，其特征在于，包括在刻蚀工艺中产生副产物的刻蚀步骤后，增加在预定的上电极功率、下电极功率和压 强的条件下，降低刻蚀气体的流量并增加惰性气体的过渡步骤；在所述过渡步骤之后，去除所述刻蚀气体，并使用所述惰性气体进行冲刷，将刻蚀工艺 过程中产生的工艺副产物和刻蚀中腔室壁中颗粒被等离子体轰击后悬浮在等离子体中的 颗粒带走。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡步骤中预定的上电极功率为 200W 300W。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡步骤中预定的下电极功率为0W。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡步骤中预定的压强与所述产生 副产物的刻蚀步骤中的压强一致。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述过渡步骤中，所述降低刻蚀气体 的流量具体...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱哲渊，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。