【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子处理设备的喷头电极总成
技术介绍
在半导体器件处理领域，使用包括真空处理室的半导体材料处理设备来执行各种 各样的工艺，如在衬底上的多种不同材料的蚀刻和沉积，以及抗蚀剂剥除。随着半导体技术 发展，逐渐减小的器件尺寸(例如晶体管尺寸)要求晶片工艺和工艺设备具有更高程度的 精度、可重复性以及清洁程度。已有各种不同类型的设备用于半导体处理，包括含有使用等 离子的应用，如等离子蚀刻、等离子增强化学气相沉积(PECVD)以及抗蚀剂剥除等。这些工 艺所需的设备类型包括设在等离子室内的部件，并且在那种环境中能够工作。等离子室内 的环境可包括暴露于等离子、暴露于蚀刻剂气体以及热循环(thermal cycling)。用于这样 的部件的材料必须适于经得起室中的环境条件，以及经得起处理许多晶片，对于每个晶片 可能包括多个工艺步骤。为了性价比高，这样的部件通常必须经得住几百或几千个晶片循 环同时保持其功能性和清洁度。一般对产生颗粒的部件有极低的容忍度，即使这些颗粒非 常少并且不超过数十个纳米大。对于选择用于等离子处理室内部的部件以最高性价比的方 式满足这些需要也是必要的。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种喷头电极总成，包括： 喷头电极，适于安装在真空室内部并通过射频（ＲＦ）能量供电； 衬板，贴附于该喷头电极； 热控板，通过多个紧固件在纵贯该衬板的多个接触区域贴附于该衬板；以及 接口构件，在该接触区域隔开该衬板以及该热控板，其中每个接口构件包括由颗粒缓解密封部界定在边缘上的导热导电垫圈部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤姆史蒂文森，拉金德尔德辛德萨，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US
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