具有强化电荷中和的等离子处理以及处理控制制造技术

一种等离子处理装置，包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源，此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源，至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源，产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有强化电荷中和的等离子处理以及处理控制此处所用的标题仅为组织上的目的而不应被解释为对本申请此处描述的 内容的限制。
技术介绍
等离子处理已经被广泛使用于半导体及其他工业达数十年之久。等离子处理用于例如清洗、蚀刻(etching)、研磨(mi 11 ing)以及沉积(deposition) 的作业。在许多等离子处理系统中，电荷倾向累积在要处理的基底(substrate) 上。这种电荷增长能在基底上发展出较高的电位电压，因而导致等离子处理 不均匀、电弧(arcing)以及基底损害。例如，等离子蚀刻系统(plasma etching systems)中的电荷增长能导致不均匀的蚀刻深度及凹陷或对基底表面的损 害，因而可能降低处理良率。此外，沉积系统中的电荷增长能导致不均匀的 沉积及对沉积薄膜层的损害。最近，等离子处理已经^^皮用于#^杂。等离子掺杂(plasma doping)有时候 称为PLAD或等离子沉浸式离子注入(plasma immersion ion implantation, PIII)。等离子掺杂系统已经被开发来满足某些现代电子及光学装置的掺杂需 求。等离子掺杂基本上不同于利用电场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子处理装置，包括：　ａ．平台，支撑等离子处理的基底；　ｂ．射频电源，在输出端产生多重位准射频功率波形，所述多重位准射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期；　ｃ．射频等离子源，具 有电性连接至所述射频电源的所述输出端的电性输入端，所述射频等离子源至少在所述第一周期期间产生具有所述第一射频功率位准的第一射频等离子且在所述第二周期期间产生具有所述第二射频功率位准的第二射频等离子；以及　ｄ．偏压电源，具有电性连接至所 述平台的输出端，所述偏压电源产生足以吸引所述等离子的离子至所述等离子处理的基底的偏压波形。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：维克拉姆辛，提摩太J米勒，伯纳德G琳赛，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]