本发明专利技术揭露一种借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子，以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率，从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及装置。提供一用于一离子布植机的一磁铁的磁极部件，前述磁极部件包括一外表面，其具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本发明专利技术亦提供一分析器磁铁以及包括前述磁极的离子布植机，因此实现了一改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上是关于离子布植机，且更特定言之，是关于束缚一离子布植机的磁铁的磁性区域内部的电子的方法以及装置。
技术介绍
改良使用低能量射束的离子布植机的生产力是离子布植机工业中的一后续问题。所聚焦的一个领域是改良射束输送效率。特定言之，在单一个晶圆离子束(ion beam)布植系统上，借由将双电位静电透镜(electrostaticbi-potential lens)置放于一分析器磁铁(analyzer magnet)之前，将离子束自高能量减速至低能量。分析器磁铁借由为离子束选择合适离子而改进该离子束。在任何离子束中，带同样电荷的离子趋向于相互排斥，如此引起离子束分散。由于离子束自高能量减速至低能量，因此该离子分散问题增加，如此可导致由于排斥所造成的离子束输送损耗。如图1中所示，降低离子束2的分散的机构是在离子束2内维持充足数量的自由电子(free electron)4(例如，经由与中性原子6进行射束碰撞)，以中和离子束2的净空间电荷(net space charge)。可在不存在磁场的区域中将自由电子4自一外部源(未图示)引入至离子束2中。自由电子4亦可借由使离子束2与包围其的表面(未图示)碰撞，且使离子束2与残气(residual gas)(未图示)碰撞而产生。然而，自由电子4的借由碰撞所造成的热量产生可自离子束2逃逸至射束线(beam-line)的壁的热电子(hot electron)4H。当此情况发生时，电子4L损耗，藉此使得当额外的自由电子4未供应至离子束2时，增加离子束2的净空间电荷。因为自由电子4于其沿轨道绕磁场线16行进时不可自磁性区域10的外部移动至磁性区域10内，所以在磁铁12的磁性区域内部，空间电荷中和问题更加突出。在磁性区域10中替代损耗的电子4L通常是依靠离子束2产生电子来完成。同时，磁铁12的磁场趋向于引导热电子4H，以使其迁移至磁铁12的平面磁极(planar pole)14，且因此增强了损耗的电子4L自离子束2的逃逸。当磁性区域10中的由离子束2产生的电子不足以替代损耗的电子4L时，此情形可导致离子束2膨胀且进一步引起离子束2的输送损耗。应了解，虽然将磁铁12说明成一分析器磁铁，但该问题将不限于一离子布植机内的该特定磁铁。鉴于上文所述，此项技术中需要一离子布植机的磁铁中具有经改良的射束输送效率。
技术实现思路
本专利技术包括一借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子，以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率，从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及装置。本专利技术包括一用于一离子布植机的一磁铁的磁极部件，前述磁极部件包括一外表面，前述外表面具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本专利技术亦包括一分析器磁铁，及包括前述磁极的离子布植机，及改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法。本专利技术的一第一态样针对一用于一离子布植机中的一磁铁的磁极，前述磁极包含一磁性部件，其用于安装至前述磁铁的一内部部分，前述磁性部件包括一外表面，前述外表面包括形成邻近前述磁性部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。本专利技术的一第二态样包括一改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法，前述方法包含以下步骤形成磁场集中区，其邻近前述离子布植机的一磁铁的一磁极，以束缚邻近前述磁铁的电子；以及将前述低能量离子束引入至前述磁铁中，以使得受束缚的电子被引入至邻近前述磁铁的前述低能量离子束中。本专利技术的一第三态样包括一用于一离子布植机的分析器磁铁，前述分析器磁铁包含一磁极部件，其用于安装至前述分析器磁铁的一内部部分，前述磁极部件包括一外表面，前述外表面包括形成邻近前述内部部分的磁场集中区的磁场集中部件。一第四态样包括一离子布植机，包含一离子源，其用于产生一离子束；一磁铁，其包括至少一个具有一外表面的磁极部件，前述外表面包括形成邻近前述磁性部件的磁场集中区的多个磁场集中部件；以及一布植室，其用于固持一将被前述离子束布植的目标。一第五态样包括一用于一离子布植机的分析器磁铁，前述分析器磁铁包含一磁极；以及形成构件，其用于形成邻近前述磁极的磁场集中区。通过下文对本专利技术的实施例的详细说明，本专利技术的上述和其它特征会更明显。附图说明下文详细说明本专利技术的实施例，并配合所附图式，其中相似标号标示相似组件。图1展示一离子布植机的一现有的磁铁的分解图。图2展示根据本专利技术的包括一磁极部件的磁铁的分解图。图3展示图2的磁极部件的透视图。图4展示图3的磁极部件的横截面图。图5展示图3的磁极部件的一实施例的细节图。图6展示图3的磁极部件的第二实施例的细节图。图7展示包括图2的磁铁为一分析器磁铁的离子布植机的平面图。具体实施例方式参看附图，图2说明根据本专利技术的一离子布植机的磁铁102的磁极部件100。如所说明，将磁铁102组态为一分析器磁铁。为清楚起见，未展示磁铁102的线圈。然而应了解，本专利技术的教示可适用于离子布植机内的任何磁铁。如图2中所示，磁极部件100经组态以用于安装至磁铁102的内部部分106。在一实施例中，磁极部件100包括自基底111凸起的外表面110。磁极部件100可由可用于磁铁102内的任何现在已知或稍后将发展的磁性材料构成。磁极部件100亦包括多个磁场集中部件112，其形成邻近磁极部件100的集中磁场130(由图2中的较粗磁场线指示)。如图2及图3中最佳地展示，每一磁极部件100具有一与内部部分106(仅图2)相匹配的曲线形状。如图2及图3中所示，在一实施例中，磁场集中部件112沿该曲线形状径向伸展，虽然此可能并非总是必要的。磁场集中部件112可以各种形式提供。如仅在图5及图6中所示，在一较佳实施例中，每一磁场集中部件包括一在外表面110上的隆脊(ridge)120。如图3-图5中所示，隆脊120可由外表面110中的沟槽122形成。或者，如图6中所示，隆脊120可形成为自外表面110凸起的部分124。参看图2，在运作中，磁场集中部件112对磁铁102产生磁镜(magneticmirroring)情形。“磁镜”指示以下情形带电粒子避免沿不断增强的磁场方向行进，而是仅在沿磁场线的镜射路径(mirrored-path)上行进。在该配置中，集中部件112产生较小的磁场集中区130(由图2中的较粗磁场线116指示)，其在磁场线末端提供增强的磁场。遭遇该增强的磁场的电子104(镜射或俘获电子)沿相同磁场线116反弹回去，而不是经允许而例如逃脱至磁铁102的环绕壁(未图示)。结果，该等电子104可用来重新加入至离子束132中。因此，磁极部件100在不需要额外装置且不影响离子束132的情况下束缚电子。本专利技术亦包括在一离子布植机中改良低能量离子束空间电荷中和的方法，包括形成磁场集中区130，其邻近该离子布植机的磁铁102的磁极100，以束缚邻近该磁铁的电子104；及将低能量离子束132引入至磁铁102中，以使得受束缚的电子104被引入至邻近磁铁102的低能量离子束132中。如图7中所示，本专利技术亦包括离子布植机200，其中包括离子源(ionsource)242，其用于产生一离子束132；上文所述的磁铁102(说明为分析器磁铁本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于在离子布植机中使用的磁铁的磁极，其特征在于前述磁极包含：一磁性部件，其用于安装至前述磁铁的一内部部分，前述磁性部件包括一外表面，前述外表面包括形成邻近前述磁性部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-11-19 60/629,515;US 2005-11-10 11/272,1931.一种用于在离子布植机中使用的磁铁的磁极，其特征在于前述磁极包含一磁性部件，其用于安装至前述磁铁的一内部部分，前述磁性部件包括一外表面，前述外表面包括形成邻近前述磁性部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。2.如权利要求1所述的用于在离子布植机中使用的磁铁的磁极，其特征在于其中前述磁性部件具有一与前述内部部分匹配的曲线形状。3.如权利要求2所述的用于在离子布植机中使用的磁铁的磁极，其特征在于其中前述多个磁场集中部件沿前述曲线形状径向伸展。4.如权利要求1所述的用于在离子布植机中使用的磁铁的磁极，其特征在于其中每一磁场集中部件包括一隆脊。5.如权利要求4所述的用于在离子布植机中使用的磁铁的磁极，其特征在于其中每一隆脊自前述外表面凸起。6.如权利要求4所述的用于在离子布植机中使用的磁铁的磁极，其特征在于其中每一隆脊由前述外表面中的沟槽形成。7.如权利要求1所述的用于在离子布植机中使用的磁铁的磁极，其特征在于其中前述磁性部件包括一基底且前述外表面自前述基底凸起。8.一种改良在离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法，其特征在于前述方法包含以下步骤形成磁场集中区，其邻近前述离子布植机的一磁铁的一磁极，以束缚邻近前述磁铁的电子；以及将前述低能量离子束引入至前述磁铁中，以使得前述受束缚的电子被引入至邻近前述磁铁的前述低能量离子束中。9.一种用于离子布植机的分析器磁铁，其特征在于前述分析器磁铁包含一磁极部件，其用于安装至前述分析器磁铁的一内部部分，前述磁极部件包括一外表面，前述外表面包括形成邻近前述内部部分的磁场集中区的磁场集中部件。10.如权利要求9所述的用于离子布植机的分析器磁铁，其特征在于其中前述内部部分以及前述磁极部件具有一曲线形状。11.如权利要求10所述的用于离子布植机的分析器磁铁，其特征在于其中前述磁场集中部件沿前述...
【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼雷诺，约瑟C欧尔森，张昇吾，詹姆士贝福，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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