为减少不均匀性的集成可控制性阵列装置制造方法及图纸

技术编号:4643487 阅读:211 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供了一种在等离子处理环境中管理等离子均匀性以便于处理基片的集成可控制性阵列装置。该装置包括电子元件阵列。该装置还包括气体喷射器阵列,其中该电子元件阵列和该气体喷射器阵列设置为建立多个等离子区域,该多个等离子区域的每个等离子区域大体上相似。该装置进一步包括泵阵列,其中该泵阵列的单个泵散布于该电子元件阵列和该气体喷射器阵列中。该泵阵列配置为便于废气的局部移除以在等离子处理环境中维持一个均匀的等离子区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】为减少不均匀性的集成可控制性阵列装置
技术介绍
等离子处理系统被长时间用于处理基片以生产半导体器件。在基片处理过程中,室的条件被密切地监视和仔细地控制以产生有助于生产精密的半导体器件的处 理环境。总而言之,制造商需要创造一个处理环境,其中条件是均匀的以处理基片。不幸的是,在基片处理过程中存在于处理室内的某些条件会导致不均匀 性。为了便于讨论,图1示出了基片处理环境100的简化的方框图。基片106设置在处理 室104内的静电卡盘(ESC) 108上。功率被传送入处理室104。例如,射频(RF)功率110通 过静电卡盘被供给处理室104。在处理室104内,RF电与气体相互作用以生产等离子114, 该气体通过气体传送系统102传送进处理室104,该等离子与基片106相互作用而生产出刻 蚀过的半导体产品。理想地,为了提供均匀的处理基片106的处理环境,处理室104内的条 件(尤其是纵贯基片106)是均匀的。然而,由于处理室104的设计,处理室内的条件通常 是不均匀的。例如,气体的径向流动会导致气体在整个处理室内的不均匀分配。再例如,由 于泵112通常设置在远离基片中心的地方,所以废气会不均匀地从处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在等离子处理环境中管理等离子均匀性以便于处理基片的集成可控制性阵列装置,包括:电子元件阵列;气体喷射器阵列,其中所述电子元件阵列和所述气体喷射器阵列布置为产生多个等离子区域,所述多个等离子区域的每一个等离子区域是大体上相似的;和泵阵列,所述泵阵列的单个泵散布于所述电子元件阵列和所述气体喷射器阵列之间,所述泵阵列被设置为便于废气的局部清除以在所述等离子处理环境中维持均匀的等离子区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:尼尔本杰明
申请(专利权)人:朗姆研究公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1