【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,更具体地说,本专利技术涉及一种防止顶端喷嘴开裂的方法以及相应的高密度等离子机台。
技术介绍
Lam(美国泛林半导体设备公司)的HDP(high density plasma,高密度等离子体)机台工艺是在腔体内的高温环境下,通过对特定的工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积形成薄膜。该HDP机台工艺的特点是成膜速度快,薄膜均匀度好,填洞能力强。但是,该HDP机台(高密度等离子机台)内用来平衡气流的部件顶端喷嘴(top nozzle),在温度变化时会发生开裂现象。因此,希望提供一种防止顶端喷嘴开裂的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种能够一种防止顶端喷嘴开裂的方法。为了实现上述技术目的,根据本专利技术,提供了一种防止顶端喷嘴开裂的方法,包括:第一步骤:为高密度等离子机台的用于平衡气流的顶端喷嘴配置钛合金丝套;第二步骤:在高密度等离子机台的腔体内,利用预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜。优选地,顶端喷嘴的材料为Al2O3。优选地,Al2O3的热膨胀系数为8.2×10-6/℃。优选地,钛合金的热膨胀系数为8.8×10-6/℃~10.03×10-6/℃。为了实现上述技术目的,根据本专利技术,还提供了一种高密度等离子机台,所述高密度等离子机台用于利用预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜;其中,所述高密度等离子机台的用于平衡气流的顶端喷嘴配置有钛合金丝套。优选地,顶端喷嘴的材料为Al2O3。优选地,Al2O3的 ...
【技术保护点】
一种防止顶端喷嘴开裂的方法,其特征在于包括:第一步骤:为高密度等离子机台的用于平衡气流的顶端喷嘴配置钛合金丝套;第二步骤:在高密度等离子机台的腔体内,利用预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种防止顶端喷嘴开裂的方法,其特征在于包括:第一步骤:为高密度等离子机台的用于平衡气流的顶端喷嘴配置钛合金丝套;第二步骤:在高密度等离子机台的腔体内,利用预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜。2.根据权利要求1所述的防止顶端喷嘴开裂的方法,其特征在于,顶端喷嘴的材料为Al2O3。3.根据权利要求1或2所述的防止顶端喷嘴开裂的方法,其特征在于,Al2O3的热膨胀系数为8.2×10-6/℃。4.根据权利要求1或2所述的防止顶端喷嘴开裂的方法,其特征在于,钛合金的热膨胀系数为8.8×10-6/℃~10....
【专利技术属性】
技术研发人员:刘涛,黄彪,刘玮,徐伯山,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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