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本发明公开了一种硅片的刻蚀方法，涉及半导体芯片加工工艺领域，为降低因颗粒附着造成的刻蚀缺陷而发明。所述刻蚀方法在刻蚀工艺中产生副产物的刻蚀步骤后，增加在预定的上电极功率、下电极功率和压强的条件下，降低刻蚀气体的流量并增加惰性气体的过渡步骤；...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。