将选择性钌沉积集成到半导体器件的制造中的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于将Ｒｕ金属的选择性沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Ｃｕ中的电迁移和应力迁移的方法。该方法包括利用包含Ｒｕ３（ＣＯ）１２前躯体蒸汽和ＣＯ气体的处理气体通过热化学气相沉积工艺在金属化层（３０２）或块Ｃｕ（３２２）上选择性沉积Ｒｕ金属膜（３１２，３２４）。并且，本发明专利技术描述了包含一个或多个选择性沉积的Ｒｕ金属膜的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体处理和半导体器件，更具体而言，涉及用于制造半导体器件的 钌金属膜的选择性沉积方法。
技术介绍
集成电路包含各种半导体器件以及多条传导金属路径，所述多条传导金属路径将 电力供应到半导体器件，并允许这些半导体器件共享和交换信息。在集成电路中，多层金属 层被彼此层叠，利用金属间电介质层或层间电介质层来将金属层彼此绝缘。通常，每一个 金属层必需形成与至少一个另外的金属层的电接触。这样的电接触通过如下来实现在分 隔金属层的层间电介质层中刻蚀孔(即，过孔)；并且用金属填充所得的过孔，以创建互连。 “过孔”通常是指任何形成在电介质层中的凹入特征，诸如孔、线或其它类似特征，当填充金 属时，其提供穿过电介质层、与该电介质层下方的导电层的电连接。类似地，连接两个或更 多个过孔的凹入特征通常被称为沟槽。在用于制造集成电路的多层金属化方案中使用铜(Cu)已经造成了若干急需解决 的问题。例如，Cu原子在电介质材料和Si中的高迁移率可能导致Cu原子迁移到这些材料 中，从而形成可能破坏集成电路的电缺陷。因此，Cu金属层、Cu填充的沟槽和Cu填充的过 孔通常用阻挡层包覆，以防止Cu原子扩散到电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，包括：在沉积系统的处理室中提供图案化衬底，所述图案化衬底包含处于电介质层中的凹入特征和处于所述凹入特征的底面的金属化层；形成包含Ｒｕ↓［３］（ＣＯ）↓［１２］前躯体蒸汽和ＣＯ气体的处理气体；将所述图案化衬底暴露于所述处理气体，以通过热化学气相沉积工艺在所述金属化层上选择性沉积第一Ｒｕ金属膜；在所述凹入特征中，包括在所述第一Ｒｕ金属膜上，沉积阻挡层；并且用块Ｃｕ填充所述凹入特征。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木健二，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]