具有形成于脊上的选择性晶体管的集成半导体存储器制造技术

一种具有记忆胞元（１）的积体半导体内存（１０），该记忆胞元（１）具有一存储电容器（２）与一选择性晶体管（３），该选择性晶体管（３）系在一用半导体材料所制成的网区（４）上形成且具有一第一（５）与一第二源极／漏极区域（６）以及至少一闸极层（７，８），其中　　　　该网区（４）系被设置在一绝缘层（１１）上，　　　　该第一源极／漏极区域（５）系被设置在该网区（４）的一侧向终端（Ａ）的该绝缘层（１１）上，且该第二源极／漏极区域（６）系被设置在该网区（４）的另一侧向终端（Ｂ）的该绝缘层（１１）上，以及　　　　该网区（４）的两个纵向侧（１４）与该网区（４）的一顶侧（１５）系以一包含一闸极介电层（９）与一闸电极（１６）的层次序而被覆盖。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本案系有关于一种包括具有一存储电容器与一选择性晶体管的记忆胞元的积体半导体内存，该选择性晶体管系在一用半导体材料所制成的网区上形成且具有一第一源极/漏极区域、一第二源极/漏极区域与至少一闸极层。
技术介绍
积体半导体内存其具有一包含有多重记忆胞元的记忆胞元数组，用以储存数字信息，以及一逻辑区域以驱动该记忆胞元与操作该半导体内存。存储电容器系经由一位于一字符线与一位线间交叉点上的选择性晶体管而被驱动，在存储电容器中的储存则因该晶体管系处于电的开启或是关闭的状态而受到影响。另外的晶体管系被设置在逻辑区域中，其另外的晶体管并不是用来选择记忆胞元，与选择性晶体管相较之下，依照其针对一数字或是模拟逻辑电路之目的，而是被不同地建构与相异地规格化。特别是有关于在晶圆区域上最大可能节省空间的记忆区域所作的需求，与有关于设置在那里的晶体管的模拟切换作用的一个模拟逻辑区域所做的需求，对于被使用在此两种区域中的晶体管设计而言，将产生不同的选择标准。在记忆区域中的选择性晶体管的一个可以理解的设计是周围的闸极晶体管，其中由藉由垂直蚀刻所形成的基板材料而制成的网区，其系被用来做为形成晶体管的一个基本结构。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有记忆胞元(1)的积体半导体内存(10)，该记忆胞元(1)具有一存储电容器(2)与一选择性晶体管(3)，该选择性晶体管(3)系在一用半导体材料所制成的网区(4)上形成且具有一第一(5)与一第二源极/漏极区域(6)以及至少一闸极层(7，8)，其中该网区(4)系被设置在一绝缘层(11)上，该第一源极/漏极区域(5)系被设置在该网区(4)的一侧向终端(A)的该绝缘层(11)上，且该第二源极/漏极区域(6)系被设置在该网区(4)的另一侧向终端(B)的该绝缘层(11)上，以及该网区(4)的两个纵向侧(14)与该网区(4)的一顶侧(15)系以一包含一闸极介电层(9)与一闸电极(16)的层次序而被覆盖。2.如权利要求第1项所述的半导体内存，其中该存储电容器(2)系为一沟槽电容器(trench capacitor)，其内部电容电极(12)系以正好在该植入绝缘层(11)下面的一深度而延伸到该存储电容器(2)底部(26)，且仅藉由一电容介电层(13)而与一外部电容电极(18)绝缘。3.如权利要求第1项或第2项所述的半导体内存，其中该存储电容器(2)的该内部电容电极(12)系延伸至该植入绝缘层(11)的底部，以及其系藉由一表面接触(19)而被连接至该选择性晶体管(3)的该第一源极/漏极区域(5)。4.如权利要求第3项所述的半导体内存，其中为了该内部电容电极(12)的该表面接触(19)顶侧系以低于该网区(4)顶侧的方式而被设置，且藉由一绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·恩德斯，A·斯皮特泽，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：