非挥发性存储器阵列结构制造技术

一种非挥发性存储器阵列结构，包含：　　　　一底材；　　　　多组隔离元件，是位于该底材中；　　　　一埋入式传导区域位于该隔离元件之间，其中该埋入式传导区域是与该隔离元件垂直；及　　　　多组栅极结构，是位于该底材上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种存储器阵列结构，特别是有关一种具有低源极片阻抗的非挥发性存储器阵列结构。(2)
技术介绍
非挥发性存储器阵列结构是一种已经在集成电路中被广泛应用的半导体结构。长久以来，如何提升一非挥发性存储器阵列结构的可靠度与操作性能一直是人们所研究的重点之一。图1A是一种现有技术中的非挥发性存储器阵列结构之上视图。由图1A可以看出，所述的非挥发性存储器阵列结构包含多组浅沟渠隔离110，多组第二多晶硅层120，与多组接触窗130。所述的第二多晶硅层可以是所述非挥发性存储器阵列结构的字元线(word line)。所述的非挥发性存储器阵列结构还包含一组源极线。所述的源极线位于图1A中的A-A’方向上。图1B是图1A沿着A-A’方向的截面图。参照图1B，在底材100中具有多组浅沟渠隔离110。在底材100的表面与所述浅沟渠隔离110下方具有一层源极线140。从图1B可以发现，有部分源极线140因为浅沟渠隔离的存在而出现凹入，进而形成高阶(在底材表面上)与低阶(在浅沟渠隔离下方)的形状。所述源极线140凹入的部份将会造成源极片电阻的升高。图1C是图1A沿着B-B’方向的截面图。如图1C所示，在底材100中除了所述的浅沟渠隔离110与源极线140的外，还包含多组漏极(drain)区域150。在底材100的上方包含多组第一多晶硅层160，与多组分别位于所述第一多晶硅层160上的第二多晶硅层120。所述的第一多晶硅层160与第二多晶硅层120可以形成所述非挥发性存储器阵列结构的栅极结构。图1D是图1A沿着C-C’方向的截面图。从图1D可以明显的看出，所述非挥发性存储器阵列结构有部分的源极线140会因为浅沟渠隔离110的存在而凹入。在使用所述非挥发性存储器阵列结构的时候，所述的凹入部分将会升高源极片电阻，进而降低所述非挥发性存储器阵列结构的操作效能与可靠度。因此，如何提供一种低源极片阻抗的非挥发性存储器阵列结构以提升非挥发性存储器阵列结构的可靠度及其操作效能是一项很重要的课题。(3)
技术实现思路
鉴于所述的专利技术背景，本专利技术的主要目的在于提供一种非挥发性存储器阵列结构，其中所述的非挥发性存储器阵列结构具有一埋入式源极区域，所述埋入式源极区域具有与现有技术的源极区域不同的几何形状，藉此可以降低在所述非挥发性存储器阵列结构中的源极片阻抗。本专利技术的再一目的为提供一种非挥发性存储器阵列结构，藉由改善所述非挥发性存储器阵列结构的埋入式源极区域的几何形状，使得根据本专利技术的非挥发性存储器阵列结构可以比现有技术的非挥发性存储器阵列结构展现出更高的可靠度(reliability)与操作性能(operating performance)。本专利技术的又一目的为提供一种非挥发性存储器阵列结构，藉由减少埋入式源极区域因为所述非挥发性存储器阵列结构的隔离区域而凹入的部分，来降低根据本专利技术的非挥发性存储器阵列结构的片阻抗。本专利技术的又一目的为提供一种非挥发性存储器阵列结构。在所述非挥发性存储器阵列结构的埋入式传导区域中没有隔离元件，以减少埋入式源极区域因为所述非挥发性存储器阵列结构的隔离区域而发生凹入的部分。根据以上所述的目的，本专利技术提供了一种低源极片阻抗的非挥发性存储器阵列结构。所述的非挥发性存储器阵列结构包含一底材，多组隔离元件位于所述底材中，至少一埋入式传导区域位于两隔离元件之间，与多组栅极结构位于所述底材上。所述的隔离元件可以是一浅沟渠隔离。所述的埋入式传导区域可以是所述非挥发性存储器阵列结构的源极线(source line)。由于在所述埋入式传导区域中没有隔离元件，所以，所述非挥发性存储器阵列结构在制程上可以比在源极区域中具有隔离元件的现有技术的非挥发性存储器阵列结构更简单。此外，由于在所述埋入式传导区域中没有隔离元件，使得根据本专利技术的非挥发性存储器阵列结构的源极片阻抗可以比现有技术的非挥发性存储器阵列结构的源极片阻抗更低。所以，根据本专利技术的非挥发性存储器阵列结构可以展现出比现有技术的非挥发性存储器阵列结构更高的可靠度。(4)附图说明本专利技术的所述目的与优点，将以下列的实施例以及图示，做详细说明如下，其中图1A是一根据现有技术的非挥发性存储器阵列结构之上视图；图1B是图1A中沿着A-A’的截面图；图1C是图1A中沿着B-B’的截面图；图1D是图1A中沿着C-C’的截面图；图2A是一根据本专利技术的非挥发性存储器阵列结构之上视图；图2B是图2A中沿着A-A’的截面图；图2C是图2A中沿着B-B’的截面图；及图2D是图2A中沿着C-C’的截面图。(5)具体实施方式本专利技术的一些实施例会详细描述如下。然而，除了详细描述外，本专利技术还可以广泛地在其他的实施例施行，且本专利技术的范围不受其限定，而以后附的权利要求所限定的范围为准。另外，在本说明书中，半导体元件的不同部分并没有依照尺寸绘图。某些尺度与其他相关尺度相比已经被夸张，以提供更清楚的描述和本专利技术的理解。本专利技术的一较佳实施例为一种低源极片阻抗的非挥发性存储器阵列结构。所述低源极片阻抗的非挥发性存储器阵列结构包含一底材，与一埋入式传导区域(buried conductive region)。所述底材包含多组位于底材中的隔离元件。所述的隔离元件可以是一浅沟渠隔离(shallow trench isolation)。所述的埋入式传导区域可以是一埋入式源极线(buried source line)。所述的埋入式传导区域位于所述的隔离元件之间，且所述埋入式传导区域的方向与所述隔离元件的方向互相垂直。所述的埋入式传导区域位于所述底材的表面，使得所述埋入式传导区域并不位于所述隔离元件的下方。所述的非挥发性存储器阵列结构还包含多组栅极结构位于所述的底材上。所述的栅极结构包含一第一多晶硅层位于所述底材上，与一第二多晶硅层位于所述第一多晶硅层上。所述的第二多晶硅层可以是所述非挥发性存储器阵列结构的字元线。所述的非挥发性存储器阵列结构还包含多组接触窗(contact)，作为所述非挥发性存储器阵列结构与其他半导体元件之间的连接。所述的埋入式源极区域可以藉由离子植入(ion implantation)，或是其他的技术来形成。所述的埋入式源极区域可以是一个与所述第二多晶硅层平行的带状区域。所述的埋入式源极区域与现有技术中的非挥发性存储器阵列结构的源极区域的不同之处是，现有技术的源极区域有部分是形成于隔离区域(例如浅沟渠隔离)的下方，而在本实施例的埋入式源极区域中则没有隔离元件。如上文中所述，在现有技术中，在源极区域因为有隔离元件的存在，造成源极区域在几何形状上发生高阶(high-step)或低阶(low-step)的形状。所述的高阶或低阶的形状会提高现有技术的非挥发性存储器阵列结构的源极片阻抗(source line sheet resistance)，进而降低非挥发性存储器阵列结构的可靠度。然而，在本实施例中，由于在源极区域中没有隔离元件的存在，所以，根据本实施例的源极区域不会出现类似所述现有技术的源极区域中的高阶或低阶形状，及因为所述的高阶或低阶形状所引起的各个问题。举例来说，根据本实施例的埋入式源极区域可以是一层平坦的，位于底材表面，且其深度差(所述埋入源极区域的最高处与最低处之间的高度差)不大于所述非挥发性存储器阵列结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器阵列结构，包含一底材；多组隔离元件，是位于该底材中；一埋入式传导区域位于该隔离元件之间，其中该埋入式传导区域是与该隔离元件垂直；及多组栅极结构，是位于该底材上。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器阵列结构，其特征在于该埋入式传导区域的深度差小于该隔离元件的深度。3.如权利要求1所述的非挥发性存储器阵列结构，其特征在于该栅极结构至少包含一多晶硅层。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器阵列结构，其特征在于还包含多组位于该底材中的漏极区域以及多组位于该底材上的接触窗。5.如权利要求1所述的非挥发性存储器阵列结构，其特征在于该埋入式传导区域是位于该底材的一表面，使得该埋入式传导区域不位于该隔离元件的下方。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：易成名，陈辉煌，高瑄苓，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：