【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种存储器阵列结构，特别是有关一种具有低源极片阻抗的非挥发性存储器阵列结构。(2)
技术介绍
非挥发性存储器阵列结构是一种已经在集成电路中被广泛应用的半导体结构。长久以来，如何提升一非挥发性存储器阵列结构的可靠度与操作性能一直是人们所研究的重点之一。图1A是一种现有技术中的非挥发性存储器阵列结构之上视图。由图1A可以看出，所述的非挥发性存储器阵列结构包含多组浅沟渠隔离110，多组第二多晶硅层120，与多组接触窗130。所述的第二多晶硅层可以是所述非挥发性存储器阵列结构的字元线(word line)。所述的非挥发性存储器阵列结构还包含一组源极线。所述的源极线位于图1A中的A-A’方向上。图1B是图1A沿着A-A’方向的截面图。参照图1B，在底材100中具有多组浅沟渠隔离110。在底材100的表面与所述浅沟渠隔离110下方具有一层源极线140。从图1B可以发现，有部分源极线140因为浅沟渠隔离的存在而出现凹入，进而形成高阶(在底材表面上)与低阶(在浅沟渠隔离下方)的形状。所述源极线140凹入的部份将会造成源极片电阻的升高。图1C是图1A沿着B-B’方向...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器阵列结构，包含一底材；多组隔离元件，是位于该底材中；一埋入式传导区域位于该隔离元件之间，其中该埋入式传导区域是与该隔离元件垂直；及多组栅极结构，是位于该底材上。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器阵列结构，其特征在于该埋入式传导区域的深度差小于该隔离元件的深度。3.如权利要求1所述的非挥发性存储器阵列结构，其特征在于该栅极结构至少包含一多晶硅层。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器阵列结构，其特征在于还包含多组位于该底材中的漏极区域以及多组位于该底材上的接触窗。5.如权利要求1所述的非挥发性存储器阵列结构，其特征在于该埋入式传导区域是位于该底材的一表面，使得该埋入式传导区域不位于该隔离元件的下方。6.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：易成名，陈辉煌，高瑄苓，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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