温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种非挥发性存储器阵列结构，包含：　　　　一底材；　　　　多组隔离元件，是位于该底材中；　　　　一埋入式传导区域位于该隔离元件之间，其中该埋入式传导区域是与该隔离元件垂直；及　　　　多组栅极结构，是位于该底材上。...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。