【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体元件制造方法，特别是一种。
技术介绍
有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode，OLED)系属于电流驱动的产品。使用者借由改变流经有机发光二极体的电流大小，以调整辐射光的特性与效率。如图1所示，典型有机发光二极体1由下而上依序包括阳极电极层2、发光层4及阴极电极层6。发光层4系夹合于阳极电极层2与阴极电极层6之间，形成三明治(sandwich)结构。运作时，在正向电压驱动下，阳极电极层2向发光层4注入电洞(hole)，阴极电极层6向发光层4注入电子(electron)。注入的电洞和电子在发光层4中相遇结合，使电子由激发态(excited state)降回基态(base state)，并将多余能量以光波的形式辐射(radiation)释出。一般而言，为了决定有机发光二极体1是否发光，系将薄膜电晶体(未图示)连接至阳极电极层2，且驱动电流系透过薄膜电晶体输入有机发光二极体1之中。薄膜电晶体系作为开关元件，以控制有机发光二极体1是否发光。如图2所示，典型非晶矽薄膜电晶体8的制作流程系首先于玻璃基板10的上表面制作闸...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机电激发光的非晶矽薄膜电晶体的制造方法，它包括如下步骤于玻璃基板上制作闸极；于玻璃基板上制作第一隔离层，且同时覆盖闸极；于第一隔离层上依序制作非晶矽层及重掺杂非晶矽层以定义出薄膜电晶体的主动区域。于第一隔离层制作金属层，且覆盖重掺杂非晶矽层；于金属层上表面制作第二阻障层；于第二阻障层上制作光阻层，光阻层具有位于闸极的正上方的窗口；蚀刻去除窗口内的第二阻障层、金属层及重掺杂非晶矽层；其特征在于所述的蚀刻去除窗口内的第二阻障层、金属层及重掺杂非晶矽层为干蚀刻去除窗口内的第二阻障层；湿蚀刻依序去除位于窗口内的金属层；干蚀刻去除窗口内裸露的重掺杂非晶矽层，以形成薄膜电晶体的源极与汲极。2.根据权利要求1所述的有机电激发光的非晶矽薄膜电晶体的制造方法，其特征在于所述的金属层由下而上包括第一阻障层及金属传导层。3.根据权利要求1或2所述的有机电激发光的非晶矽薄膜电晶体的制造方法，其特征在于所述的湿蚀刻去除第一阻障层的蚀刻液包括含(NH4)2Ce...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧调宏，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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