【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体组件的制造方法，且特别是有关于一种包含沟槽式电容器(deep trench capacitor)和部分垂直晶体管的动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)的制造方法。
技术介绍
在集成电路(integrated circuit，IC)芯片上制作高积集度的半导体组件时，必须考虑如何缩小每一个存储单元(memory cell)的大小与电力消耗，以使其操作速度加快。在传统的平面晶体管设计中，为了获得一个最小尺寸的存储单元，必须尽量将晶体管的闸极长度缩短，以减少存储单元的横向面积。但是，这会使闸极无法忍受过大的漏电流而必须相对应地降低位元线的电压，进而使得电容所储存的电荷减少。所以，在缩短闸极的横向长度同时，还要考量如何制作一个具有较大电容量的电容，例如增加电容的面积、减少电容板之间的有效介质厚度等等。为了解决上述问题，目前高密度存储器(例如动态随机存取存储器，DRAM)是发展出两种不同的电容器形成技术，一种为堆栈式电容，另一种为深沟槽电容(deep trench capacitor)，其中深...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种部分垂直存储单元的双边角圆化制程，包括提供一半导体基底，包括一存储单元数组区和一支持区，该半导体基底上具有一第一罩幕层，该存储单元数组区的该第一罩幕层和该半导体基底中具有一深沟槽，该深沟槽中的下半部具有一电容器，该电容器顶部具有一第一绝缘层，该第一绝缘层的表面和该半导体基底的表面相隔一距离；于该深沟槽中填入另一罩幕材质，形成一第二罩幕层，该第二罩幕层的表面低于该第一罩幕层的表面；覆盖一光阻层于主动区的区域，该光阻层对应于一第一部分的该半导体基底，未为该光阻层覆盖之处为一第二部分的该半导体基底；移除未被该光阻层覆盖的该第一罩幕层、该第二部分的部分该半导体基底，至该第二部分的该半导体基底的表面低于该第一绝缘层的表面；移除该光阻层和该第二罩幕层；使该第一罩幕层的边缘退缩至暴露出该第一部分的该半导体基底的边角；对该第一部分的该半导体基底的边角进行第一圆化制程；于该第一罩幕层、该第一绝缘层和该半导体基底表面形成一衬绝缘层；于该衬绝缘层上形成一绝缘插塞，该绝缘插塞与该第一部分的该半导体基底上的该衬绝缘层的表面共平面；移除该存储单元数组区的部分该绝缘插塞、部分该衬绝缘层和部分该第一罩幕层，至暴露出该第一部分的该半导体基底的边角；以及对该存储单元数组区的该半导体基底的边角进行第二圆化制程。2.根据权利要求1所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中该第一罩幕层为垫氧化硅层和垫氮化硅层的迭层结构。3.根据权利要求1所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中该第二罩幕层的材质为有机抗反射材质。4.根据权利要求1所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中使该第一罩幕层的边缘退缩至暴露出该第一部分的该半导体基底的边角的方法包括进行等向性蚀刻法。5.根据权利要求4所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中等向性蚀刻法所使用的蚀刻液为氢氟酸/乙二醇(HF/EG)。6.根据权利要求1所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中该第一圆化制程包括氧化该第一部分的该半导体基底的边角和侧边，并移除氧化生成的氧化物。7.根据权利要求6所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中氧化该第一部分的该半导体基底的边角和侧边的方法包括进行同步蒸汽(ISSG)氧化制程。8.根据权利要求1所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中该衬绝缘层的材质为氮化硅。9.根据权利要求1所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中该绝缘插塞的材质为利用高密度电浆化学气相沉积法形成的氧化硅。10.根据权利要求1所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中该第二圆化制程包括依序轮流使用氧化剂和氢氟酸溶液。11.根据权利要求10所述的部分垂直存储单元的双边角圆化制程，其中该氧化剂包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝中蓬，陈逸男，张明成，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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