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一种部分垂直存储单元的双边角圆化制程，包括：　　　　提供一半导体基底，包括一存储单元数组区和一支持区，该半导体基底上具有一第一罩幕层，该存储单元数组区的该第一罩幕层和该半导体基底中具有一深沟槽，该深沟槽中的下半部具有一电容器，该电容器顶部具...
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