【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种半导体组件的存储单元，特别是有关于一种具有垂直晶体管(vertical transistor)以及深沟槽电容(deep trenchcapacitor)的主动区自对准制程的存储单元。
技术介绍
在集成电路芯片上制作高密度植入的半导体组件时，必须考虑如何缩小每一个存储单元的大小与电力消耗，以使其操作速度加快。在传统的平面晶体管设计中，为了获得一个最小尺寸的存储单元，必须尽量将晶体管的闸极长度缩短，以减少存储单元的横向面积。但是，这会使闸极无法忍受较大的漏电流而必须相对应地降低位元线上的电压，进而使得电容所储存的电荷减少，所以在缩短闸极的横向长度同时，还要考量如何制作一个具有较大电容量的电容，例如增加电容的面积、减少电容板之间的有效介质厚度等等。由于在实际制作上无法同时满足减少存储单元面积且增加电容面积的条件，也无法进一步缩小有效介质的厚度，因此目前发展出一种垂直晶体管(vertical transistor)结构，可以将闸极长度维持在一个可得到低漏电流的的适当值，不但不会减小位元线电压，也不会增加存储单元的横向面积。此外，还发展出一种深沟槽电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，包括下列步骤提供一半导体基底，该半导体基底包含有二深沟槽；于每一深沟槽内形成一深沟槽电容，该深沟槽电容低于该半导体基底表面；于每一深沟槽电容表面上形成一隔绝层；于每一深沟槽内填满一罩幕层；于该深沟槽间的该半导体基底上形成一光阻层，其中该光阻层覆盖该罩幕层的部分表面；以该光阻层及该罩幕层为蚀刻罩幕，蚀刻该半导体基底至低于该隔绝层的高度；及去除该光阻层及该罩幕层，其中该深沟槽电容间的突出柱状的该半导体基底即为一主动区。2.根据权利要求1所述的具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，其中该深沟槽的顶部侧壁上形成有一环状绝缘层。3.根据权利要求2所述的具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，其中该环状绝缘层为领型介电层。4.根据权利要求2所述的具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，其中该环状绝缘层为氧化层。5.根据权利要求1所述的具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，其中该隔绝层为氧化层。6.根据权利要求1所述的具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，其中该罩幕层为抗反射层。7.根据权利要求1所述的具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，其中蚀刻该半导体基底的反应气体为含溴化氢气体与含氧气体的混合气体。8.根据权利要求1所述的具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，其中蚀刻该半导体基底的方法为非等向性蚀刻。9.根据权利要求8所述的具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，其中该非等向性蚀刻的方法为电浆蚀刻或反应性离子蚀刻。10.一种具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，包括下列步骤提供一半导体基底，该半导体基底上形成有一垫层；于该半导体基底形成二深沟槽，该二深沟槽相隔一既定距离；于每一深沟槽内形成一深沟槽电容，该深沟槽电容低于该半导体基底表面，其中每一深沟槽的顶部侧壁上形成有一环状绝缘层；于该半导体基底及该深沟槽上顺应性形成一隔绝层；去除该深沟槽侧壁上的该隔绝层，留下该深沟槽电容表面的该隔绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：张明成，陈逸男，黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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