【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种垂直式存储单元，特别是有关于一种可储存至少二位以上的多位元垂直存储单元以及其制造方法。
技术介绍
在半导体存储器组件中，当电源关闭后仍保存数据者，称之为“非挥发性存储器(nonvolatile memory，NVM)”，例如电子式可抹除程序化只读存储器(EEPROM)等。其中，习知的闪存在进行程序化步骤时，热载子(hotelectrons)会注入浮动闸极并均匀分布于整个浮动闸极中。然而，在重复写入、读出及抹除步骤后，位于浮动闸极下方的通道氧化层(tunneloxide layer)会因为热载子多次的穿透次数而损坏，使浮动闸极所储存的载子容易遗漏(leak out)，而导致存储装置的可靠度下降。为了防止EEPROM的漏电流及其它的问题，一种氮化物只读存储器(nitride ROM，NROM)的结构被提出。当NROM的控制闸极及源汲极区分别被施以偏压以进行程序化时，热载子会在接近汲极区侧的通道产生，并注入电荷陷阱层(charge trapping layer)也就是氮化层中，这些注入的载子将会局部性地储存于此电荷陷阱层中，而不会均匀地分布。因...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多位元垂直存储单元的制造方法，包括下列步骤提供一半导体基底，该半导体基底具有至少一沟槽；于邻近该半导体基底表面及该沟槽底部的该半导体基底中各形成一掺杂区以作为位元线；于每一该掺杂区上方各形成一位元线绝缘层；于该沟槽的侧壁及该位元线绝缘层表面顺应性形成一富含硅绝缘层以局部储存电荷；及于该富含硅绝缘层上方形成一导电层并填入该沟槽。2.根据权利要求1所述的多位元垂直存储单元的制造方法，其中形成该掺杂区更包括下列步骤在该沟槽侧壁形成一间隙壁；利用该间隙壁作为一罩幕而对该半导体基底实施一离子植入程序；及去除该间隙壁。3.根据权利要求2所述的多位元垂直存储单元的制造方法，其中该间隙壁是由氮化硅所构成。4.根据权利要求2所述的多位元垂直存储单元的制造方法，其中借由磷离子执行该离子植入程序。5.根据权利要求1所述的多位元垂直存储单元的制造方法，其中借由热氧化法形成该位元线绝缘层。6.根据权利要求1所述的多位元垂直存储单元的制造方法，其中该位元线绝缘层的厚度为300至2000。7.根据权利要求1所述的多位元垂直存储单元的制造方法，其中该富含硅绝缘层为富含硅氧化层。8.根据权利要求1所述的多位元垂直存储单元的制造方法，其中该氧化层的厚度为50至110。9.根据权利要求1所述的多位元垂直存储单元的制造方法，其中该氧化层与该沟槽间更包括一闸极介电层。10.根据权利要求9所述的多位元垂...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧清南，赖朝松，黄永孟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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