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一种多位元垂直存储单元的制造方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底具有至少一沟槽；　　　　于邻近该半导体基底表面及该沟槽底部的该半导体基底中各形成一掺杂区以作为位元线；　　　　于每一该掺杂区上方各形成一位元线绝缘层；　　...
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