【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其是指一种在制造薄膜晶体管液晶显示面板时，将非晶硅层结晶成为多晶硅层的方法。
技术介绍
在显示器的产业中，消费者所青睐的显示器产品，已逐渐由映像管式的显示器，发展至液晶显示器。其中薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)于中型尺寸显示器中，更是为消费者的最爱。实际的产品应用如桌上型/笔记型计算机的显示器、各式中型尺寸的操控面板显示器、触控面板等，甚至部分已发展用来取代娱乐性质的电视。薄膜晶体管液晶显示器主要是由薄膜晶体管液晶显示面板与外壳所组合而成。请参阅图1，为现有技术薄膜晶体管液晶显示面板2的构造示意图。其中，薄膜晶体管液晶显示面板2的各层组件及结构皆设置于一基板(substrate)4之上，通常是玻璃基板。于基板4上有一层阻障层(bufferlayer)6，以防止玻璃中的杂质扩散到多晶硅层中。进一步于阻障层6上形成一多晶硅层8，多晶硅层8中两侧形成掺杂区(deped region)8a、8b，两掺杂区8a、8b中间形成一信道(channel)8c，两掺杂区8a、8b分别与源极导线12以及汲极导线14连接，并以一介电层16以隔离一闸极金...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成多晶硅层的方法，用以促进设置于基板上的非晶硅层结晶成为多晶硅层，该方法包含下列步骤提供一种具有氧化剂以及金属物质的混合物；将该混合物涂布于设置于基板上的非晶硅层表面；藉由混合物中的氧化剂，在非晶硅层中与混合物的接触面，形成一氧化层，并且金属物质于该氧化层形成的过程陷入氧化层中，而形成具有金属物质的氧化层；以及提高温度环境超过摄氏550度以上，并藉由具有金属物质的氧化层，促进非晶硅层中与具有金属物质的氧化层接触的表面结晶成为多晶硅层。2.如权利要求1所述的方法，其中所述具有金属物质的氧化层是厚度均匀设置于非晶硅层的表面，并包含分布均匀的金属物质，藉由该具有金属物质的氧化层促进非晶硅层结晶成均匀的多晶硅层。3.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂是选自于由双氧水以及臭氧水所组成的族群中的氧化剂。4.如权利要求3所述的方法，其中所述臭氧水的浓度不超过30ppm。5.如权利要求1所述的方法，其中所述混合物中金属物质的浓度范围介于0.1ppm至200ppm之间，且该金属物质是选自于由钯、铂、铜、银、金、铟、锡、铅、以及镍所组成的族群中的元素。6.如权利要求1所述的方法，其中所述具有金属物质的氧化层的厚度范围介于10埃至30埃之间。7.如权利要求1所述的方法，其中所形成的多晶硅层中包含氧以及金属物质，且氧的浓度超过1E19 atom/cm3，金属物质的浓度不超过1E19at...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭佳添，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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