强电介质电容器的制造方法技术

在制造阵列状排列存储单元阵列的强电介质存储器时，在层间绝缘膜上形成Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜、Ｐｔ膜（３）、ＰＺＴ膜（４）及ＩｒＯ↓［２］膜（５）。另外，在形成上部电极时，在用具有向行方向延伸的部分的抗蚀剂掩模进行了ＩｒＯ↓［２］膜（５）的图形形成后，用具有向行方向延伸的部分的抗蚀剂掩模进行ＩｒＯ↓［２］膜（５）的图形形成。结果，在这些抗蚀剂掩模交叉的部分形成由ＩｒＯ↓［２］膜（５）构成且平面形状为长方形的上部电极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适合于强电介质存储器等。
技术介绍
在强电介质电容器中，多个存储单元配置成矩阵状，在各存储单元上设置强电介质电容器。此外，在强电介质电容器中有条型的和平面型的，在平面型强电介质电容器中，有板极线与多列的上部电极群共用的。图10A及图10B乃至图13A及图13B是表示按工序顺序表示以往的的图。图10A乃至图13A是俯视图，图10B乃至图13B，是分别表示沿图10A乃至图13A中的I-I线的剖面的剖面图。在以往的制造方法中，首先在半导体基板(未图示)的表面上形成场效应晶体管(未图示)。然后形成覆盖各晶体管的层间绝缘膜101。接着，如图10A及图10B所示，在层间绝缘膜101的上面，依次形成下部电极膜(下部电极的原料膜)103、强电介质膜104及上部电极膜(上部电极的原料膜)105。其后，在上部电极膜105上形成与要形成的上部电极同数目的上部电极蚀刻用抗蚀剂掩模111。此时，上部电极蚀刻用抗蚀剂掩模111的形状与要形成的各个上部电极设计上的平面形状(长方形)一致。但是，在用于形成抗蚀剂掩模111的光蚀刻时，因对比度不足，而如图10A所示，各抗蚀剂掩模111的4角变弯曲。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种强电介质电容器的制造方法，包括：在衬底膜上依次形成第１导电膜、强电介质膜及第２导电膜的工序、通过用相互不同的掩模对所述第２导电膜进行多次的蚀刻，将所述第２导电膜形成为平面形状是长方形的上部电极的平面形状的图形形成工序；并 且，所述相互不同的掩模中的任意一个第１掩模，具有从俯视图上看向与所述长方形的相互平行的任意１组边平行的第１方向延伸并且覆盖形成所述第２导电膜的所述上部电极的预定区域的部分；所述相互不同的掩模中的其它任意一个第２掩模，具有从俯视图上看 向与所述第１方向正交的第２方向延伸并且覆盖形成所述第２导电膜的所述上部电极的预定区域的部分。

【技术特征摘要】
1.一种强电介质电容器的制造方法，包括在衬底膜上依次形成第1导电膜、强电介质膜及第2导电膜的工序、通过用相互不同的掩模对所述第2导电膜进行多次的蚀刻，将所述第2导电膜形成为平面形状是长方形的上部电极的平面形状的图形形成工序；并且，所述相互不同的掩模中的任意一个第1掩模，具有从俯视图上看向与所述长方形的相互平行的任意1组边平行的第1方向延伸并且覆盖形成所述第2导电膜的所述上部电极的预定区域的部分；所述相互不同的掩模中的其它任意一个第2掩模，具有从俯视图上看向与所述第1方向正交的第2方向延伸并且覆盖形成所述第2导电膜的所述上部电极的预定区域的部分。2.如权利要求1所述的强电介质电容器的制造方法，其中，使向所述第1掩模的所述第1方向延伸的部分的宽度与所述上部电极的第2方向的设计尺寸基本上一致。3.如权利要求1所述的强电介质电容器的制造方法，其中，使向所述第2掩模的所述第2方向延伸的部分的宽度与所述上部电极的第1方向的设计尺寸基本上一致。4.如权利要求1所述的强电介质电容器的制造方法，在用所述第1掩模进行所述第2导电膜的蚀刻时使向所述第1方向延伸的部分的宽度缩小。5.如权利要求4所述的强电介质电容器的制造方法，其中，使向所述第1掩模的所述第1方向延伸的部分的宽度大于所述上部电极的第2方向的设计尺寸，在用所述第1掩模进行所述第2导电膜的蚀刻时，使向所述第1方向延伸的部分的宽度缩小，直到所述上部电极的第2方向的设计尺寸。6.如权利要求1所述的强电介质电容器的制造方法，其中，在用所述第2掩模进行所述第2导电膜的蚀刻时，使向所述第2方向延伸的部分的宽度缩小。7.如权利要求6所述的强电介质电容器的制造方法，其中，使向所述第2掩模的所述第2方向延伸的部分的宽度大于所述上部电极的第1方向的设计尺寸，在用所述第2掩模进行所述第2导电膜的蚀刻时，使向所述第2方向延伸的部分的宽度缩小，直到所述上部电极的第1方向的设计尺寸。8.如权利要求1所述的强电介质电容器的制造方法，其中，将所述第2导电膜形成图形的图形形成工序，包括通过至少进行用所述第1掩模的所述强电介质膜的蚀刻将所述强电介质膜形成为电容器绝缘膜为平面形...

【专利技术属性】
技术研发人员：置田阳一，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]