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在制造阵列状排列存储单元阵列的强电介质存储器时，在层间绝缘膜上形成Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜、Ｐｔ膜（３）、ＰＺＴ膜（４）及ＩｒＯ↓［２］膜（５）。另外，在形成上部电极时，在用具有向行方向延伸的部分的抗蚀剂掩模进行了ＩｒＯ↓［２］膜（５）的图...
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