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一种具有记忆胞元（１）的积体半导体内存（１０），该记忆胞元（１）具有一存储电容器（２）与一选择性晶体管（３），该选择性晶体管（３）系在一用半导体材料所制成的网区（４）上形成且具有一第一（５）与一第二源极／漏极区域（６）以及至少一闸极层（７，...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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