【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
例如金属栅极晶体管可以用在特开平4-123439中讲述的镶嵌栅极电极的形成工艺制造。图23(a)到图23(c)是示出现有的镶嵌栅极晶体管的制造工序的一部分的剖面图。如图23(a)所示，首先，中间存在着氧化膜33地在已形成了作为元件隔离膜的STI(浅沟隔离)32的硅衬底31上形成虚设栅极电极34a、34b。该虚设栅极电极34b的图中横向方向的宽度构成为比虚设栅极电极34a的横向方向的宽度更宽。其次，以虚设栅极电极34a、34b为掩模向硅衬底31内注入杂质，形成源·漏区35a、35b。其次，使得将虚设栅极电极34a、34b被覆起来那样地淀积例如本身为氧化膜的层间绝缘膜36。其次，如图23(b)所示，用化学机械研磨(CMP)使层间绝缘膜36平坦化，使虚设栅极电极34a、34b的表面露出来。其次，如图23(c)所示，借助于例如化学干法刻蚀(CDE)等刻蚀除去虚设栅极电极34a、34b，以形成栅极沟37a、37b。然后，向栅极沟37a、37b内填埋形成作为栅极电极的金属(未画出来)。特开平12-294557号公报[专利文献2]特开平4-123...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，在半导体衬底上的第1区域上形成第1图形，在与上述半导体衬底上的第1区域不同的区域上形成第2图形，使得将上述第1和第2图形被覆起来那样地淀积层间绝缘膜，在上述层间绝缘膜上形成光刻抗蚀剂膜，在上述光刻抗蚀剂膜上，使得光掩模的器件图形与上述第1图形相对应，上述光掩模的位置对准用标记与上述第2图形相对应那样地，进行步进重复曝光和显影处理，形成光刻抗蚀剂图形，用上述光刻抗蚀剂图形选择性地刻蚀除去上述第1和第2图形上的上述层间绝缘膜，在除去了上述光刻抗蚀剂图形后，对上述层间绝缘膜进行平坦化处理，使上述第1和第2图形的表面露出来。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于借助于化学机械研磨对上述层间绝缘膜进行平坦化处理。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在上述光掩模上形成有对准偏差检查用靶形成用标记，在上述层间绝缘膜的淀积工序之前，预先与上述对准偏差检查用靶形成用标记对应地形成第2图形。4.根据权利要求1到3中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在上述平坦化处理后，除去上述第1图形，在上述第1图形除去后的沟内填埋形成第3图形。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于作为上述第3图形填埋形成晶体管的栅极电极。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在上述层间绝缘膜的淀积之前，以上述第1图形为掩模，向上述半导体衬底内注入杂质形成上述晶体管的源·漏区。7.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在与上述第1图形的除去工序同一工序中，在除去了上述第2图形后，向上述第2图形的除去后的沟内，填埋形成与上述第3图形相同的材料。8.根据权利要求1到7中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于借助于同一工序用同一材料形成上述第1图形和上述第2图形。9.根据权利要求1到8中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于上述第2图形上的光刻抗蚀剂图形，具有大体上十字形的平面图形。10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于在半导体衬底的器件形成区上形成虚设栅极电极的同时，在上述半导体衬底的靶区上形成防止凹进变形的图形，使得将上述虚设栅极电极和上述防止凹进变形的图形被覆起来那样地形成层间绝缘膜，在上述层间绝缘膜上形成了光刻抗蚀剂膜之后，通过使得光掩模的器件图形与虚设栅极电极相对应，上述光掩模的位置对准用标记或对准偏差检查用靶形成用标记与上述防止凹进变形的图形相对应那样地，进行步进重复曝光和显影处理，形成光刻抗蚀剂图形，用上述光刻抗蚀剂图形，选择性地刻蚀除去上述虚设栅极电极和上述防止凹...
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