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本发明涉及一种用于将Ｒｕ金属的选择性沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Ｃｕ中的电迁移和应力迁移的方法。该方法包括利用包含Ｒｕ３（ＣＯ）１２前躯体蒸汽和ＣＯ气体的处理气体通过热化学气相沉积工艺在金属化层（３０２）或块Ｃｕ（３２２）上选择性沉...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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