本发明涉及一种热处理装置，能够在同时对分别载置在多个基座上的基板进行加热时，控制各基板的面内温度的均匀性。该热处理装置包括：对多枚晶片实施规定处理的反应管（１０４）；分别具有载置晶片的载置面的、由导电性材料构成的多个基座（１１２）；将各...

一种成膜装置，通过在真空容器内，多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环，而在基板的表面将薄膜成膜，其特征在于，具有：设置在上述真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与上述多个下部件分别对置地设置，在与上述载置...

本发明提供一种超声波清洗装置、超声波清洗方法以及记录有用于执行该超声波清洗方法的计算机程序的记录介质。该超声波清洗装置包括：清洗槽，其用于积存清洗液；被处理体保持装置，其被设置成能够插入到清洗槽内，保持被处理体而将被处理体浸渍于清洗液中...

基板载置台的降温方法使用基板（Ｗ）处理系统，该系统包括：第一基板载置台（２ｂ）；一个以上的处理室（１ｂ），其在内部设置有第一基板载置台（２ｂ），在第一基板载置台（２ｂ）上载置有基板（Ｗ）的状态下进行规定的处理；向处理室（１ｂ）搬送基板（...

本发明提供一种基板载置台的温度控制方法及温度控制系统。该基板载置台的温度控制方法及温度控制系统能够迅速地使基板的温度上升，并且能够减少热能损失。基座（１２）内置有加热器单元（１４）、制冷剂流路（１５）和制冷剂室（１６），其用于载置被实施...

本发明提供一种能提高生产率且即使发生了不良情况也能抑制装置整体的运转率下降的基板处理装置。在具有与搬运器（Ｃ）交接晶圆的搬入搬出臂（Ｂ）的基板搬入区的后段侧依次配置有第１处理区（３１）、第２处理区（３２）和第３处理区（３３）。在基板搬入...

本发明提供一种退火装置，其对被处理体实施退火处理，其特征在于，具备：收容所述被处理体的处理容器、在所述处理容器内支承所述被处理体的支承机构、向所述处理容器内供给处理气体的气体供给机构、将所述处理容器内的气氛气体排出的排气机构、具有向所述...

基板（Ｗ）的异常载置状态的检测方法，用于对在设有加热器（６ａ、６ｂ）的基板载置台（３）上载置的基板（Ｗ）加热的同时进行加热时，检测该基板（Ｗ）的载置状态的异常。上述基板（Ｗ）的异常载置状态的检测方法，包括：在处理一张基板（Ｗ）的期间，根...

本发明提供一种退火装置，其具有：收容晶片Ｗ的腔室（２），对腔室（２）内的晶片Ｗ进行光照射的具有多个ＬＥＤ（３３）的加热源（１７ａ、１７ｂ），对加热源（１７ａ、１７ｂ）的ＬＥＤ（３３）进行供电的电源部（６０），对从电源部（６０）向发光元件...

一种成膜方法，包括：在硅基板表面形成氧化膜的工序；对所述氧化膜进行蚀刻，利用所述氧化膜形成界面氧化膜，使得利用ＸＰＳ法测定的所述界面氧化膜的膜厚为以以上的工序；和利用ＭＯＣＶＤ法，在氧化气氛中在所述界面氧化膜上形成ＨｆＯ２膜的工序。

本发明提供一种ＭＯＳ型半导体存储装置的制造方法和等离子体ＣＶＤ装置。为了制造具有相邻的绝缘膜的带隙大小不同的绝缘膜层叠体的ＭＯＳ型半导体存储装置，使用通过具有多个孔的平面天线（３１）向腔室（１）导入微波的等离子体处理装置（１００），至少...

提供一种缺陷分类方法、计算机存储介质以及缺陷分类装置，本发明的缺陷分类装置具有设计单元和诊断单元，设计单元中，在模型生成部中将模板存储部内的缺陷模板和教学用图像合成来生成缺陷模型，在类别设定部中算出缺陷模型中的缺陷的特征量并设定缺陷的类...

本发明提供一种真空容器，其能够维持作为真空容器的充分机械强度，同时能够实现轻量化，并能够极力减轻其材料费和加工费。等离子体处理容器（１００ａ）具有成形为方筒形的下部容器（１）和与该下部容器（１）组合的上部容器（１０）。上部容器（１０）具...

一种用于将低温选择性Ｒｕ金属沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Ｃｕ金属中的ｅｌ电迁移和应力迁移的方法。该方法包括以下步骤：提供图案化衬底，所述图案化衬底包括位于电介质层（３０４）中的凹入特征，所述凹入特征至少基本填充平坦化块Ｃｕ金属（...

簇射极板（３００）包括第一平板（３０１），第二平板（３０２）和第三平板（３０３）。传热介质流于其中的流道（３０３ａ）形成在第三平板（３０３）的表面中，面向第二平板（３０２）。一种网格约以９０°相互交叉的点阵形成在第三平板（３０３）的中心...

一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行...

本发明描述了化学处理系统和使用化学处理系统用单能空间电荷中性化的中性束激活的化学处理处理衬底的方法。化学处理系统包括第一等离子体室，其用于在第一等离子体电位下形成第一等离子体；和第二等离子体室，其用于在高于第一等离子体电位的第二等离子体...

包括存储单元，存储表示从处理基板的多个处理单元中选择的一个基准处理单元和其他非基准处理单元的相对位置的第一信息；第一计算单元，计算用于修正位置偏移的第一修正值，所述位置偏移是当在被将基板运送到各个处理单元的运送装置中保持模仿所述基板的样...

一种电力合成器（１００），其包括形成筒状的本体容器（１）、设置于本体容器（１）的侧面的、将电力作为电磁波导入的多个电力导入端（２）、分别设置于多个电力导入端（２）的多个供电天线（６）、将从多个供电天线（６）放射到本体容器（１）内的电磁波...

微波导入机构（４３）包括：形成为筒状的主体容器（５０）；同轴地设置在主体容器（５０）内、在与主体容器（５０）之间形成微波传送通路（５３）的内侧导体（５２）；进行阻抗调整的调谐器（４４）；和具有向腔室内放射从微波传送通路（５３）传送来的微...