本发明是一种气体供给装置，其与在处理容器内的载置台上载置的基板对置地配置，供给对上述基板进行处理的处理气体。包括：在与上述载置台上的基板对置的位置，为了构成气体扩散空间而具有形成朝向上述载置台逐渐扩展的形状的凹部的顶板部件；从上述凹部的...

当将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，将Ｓｒ原料、Ｔｉ原料和氧化剂以气体状态导入上述处理容器内，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成ＳｒＴｉＯ↓［３］膜时，使用Ｓｒ的胺化合物或Ｓｒ的亚胺化合物作为Ｓｒ原料。

本发明说明了一种对半导体制造系统故障进行校正的方法和系统。对服务组件的故障校正是用与服务人员的交互式范例分析实现的。交互式范例分析可以识别一个或多个事例，其中在所述事例中当前的服务行为数据与过去的服务行为数据基本相符，并利用这种相关性来...

一种成膜装置，具备处理容器（２）、配置在处理容器（２）内且用于载置基板Ｗ的载置台（３）、与载置台（３）相对地配置且供给第一处理气体的第一气体供给孔（５１ｂ）、供给第二处理气体的第二气体供给孔（５２ｂ）、以及供给第三处理气体的第三气体供给...

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体...

本发明提供的半导体装置的制造方法包括：将含有苯基和硅、并且不含不可避免的杂质以外的氮的有机硅烷气体活化而得到等离子体，并且在将基板的温度设定为２００℃以下的状态下，将上述基板暴露在上述等离子体中，在上述基板上形成含有苯基和硅的薄膜的工序...

本发明提供一种基板处理装置，该装置能够防止在用热处理模块对晶片（Ｗ）进行多次热处理时因支承部件的支承所导致的晶片（Ｗ）损伤。本发明的晶片处理装置具有用于对半导体晶片（Ｗ）的处理方案中的处理条件和半导体晶片（Ｗ）的方向关联地进行设定的方案...

本发明提供真空处理系统及基板搬送方法。真空处理系统（１）具备：第一处理部（２），其在搬送晶片（Ｗ）的第一搬送室（１１）上连接ＰＶＤ处理室（１２～１５）而成；第二处理部（３），其在搬送晶片的第二搬送室（２１）上连接ＣＶＤ处理室（２２、２３...

本发明提供一种真空处理系统（１），其具备：ＣＶＤ处理室（１２～１５），其在真空下对晶片（Ｗ）进行ＣＶＤ处理；搬送室（１１），其具有搬入／搬出晶片（Ｗ）的搬入搬出口（３１），经由能够使搬入搬出口（３１）开闭的门阀（Ｇ）连接ＣＶＤ处理室（１...

一种成膜装置，边加热载置台的载置面，边在真空气氛下从与上述载置台相对的处理气体供给部向基板供给处理气体，从而进行成膜处理，其特征在于，具有：用于使上述载置台升降到对基板进行成膜处理的处理位置的升降机构；隔着间隙包围处于上述处理位置时的上...

在使液体原料的液滴通过通气性部件气化时，将整个通气性部件的温度均匀，防止未完全气化而引起堵塞。具有：导入液滴状的液体原料的导入口（３５４）；板状的通气性部件（４１０），其与导入口对置地配置，由具有借助通电发热的电阻的部件构成；以夹持通气...

本发明提供一种载置台构造和热处理装置，该载置台构造包括：载置台，其具有由在分割成同心圆状的多个加热区域的每个分别配置的多个加热器部构成的加热单元，并且用于将作为热处理对象的被处理体载置在其上；在上述多个加热区域分别设置的多个温度测定单元...

本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体（Ｗ）上形成薄膜，该被处理体（Ｗ）在表面形成有具有凹部（６）的绝缘层（４）。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ｔｉ的阻挡层（１２...

本发明提供一种真空处理装置。在真空处理腔室（２）的盖体（３），沿着成为气体流路的开口部的周缘形成有环状的槽（１５０），在该槽（１５０）内设置有整体形状为环状（Ｏ形环状）且形成为双重结构的金属密封部件（１４０）。在盖体（３），在槽（１５０...

本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置（１００），其利用从平面天线（３１）的微波放射孔（３２）放射的、透过微波透过板（２８）的微波在腔室（１）内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载...

本发明提供一种等离子体处理装置（１００），其具备：在容器（１）内生成等离子体的等离子体生成机构、对向待处理体（晶片（Ｗ））移动的等离子体中的活性种的粒子数的累计值进行测量的测量部（６０）、和当测量的累计值已达到设定值时进行控制以使等离子...

本发明通过悬浮用电磁铁组件（Ｆ）的磁吸引力，使支撑被处理体（Ｗ）的旋转悬浮体（３０）悬浮，通过位置用电磁铁组件（Ｈ）的磁吸引力控制旋转悬浮体（３０）的水平方向位置，同时通过旋转电磁铁组件（Ｒ）的磁吸引力使旋转悬浮体（３０）旋转。悬浮用电...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Ｍｎ原料气体（或含Ｍｎ原料气体和含Ｃｕ原料气体）和含氧气体（例如水蒸气）作为处理气体，通过热处理（ＣＶＤ或ＡＬＤ）在被处理体的表面形成含Ｍｎ薄膜或含ＣｕＭｎ合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表...

本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室...

本发明提供半导体装置的制造方法和半导体制造装置。沿着绝缘膜的表面和绝缘膜的凹部形成种晶层，在凹部中埋入铜配线之后，通过加热形成阻挡膜并从配线除去构成种晶层的金属的剩余部分。这时，配线中的上述金属及其氧化物的残留被抑制，抑制配线电阻上升。...