【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如栅极绝缘膜的氮化处理这样的等离子体氮化处理 中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法以及等离子体处理装置。
技术介绍
近年来，根据LSI的高集成化、高速化的要求，构成LSI的半导 体元件的设计原则日益微细化，随之在CMOS器件中，要求栅极绝缘 膜中的Si02容量换算膜厚的EOT (Equivalent Oxide Thickness,等效氧 化层厚度)的降低。为了减少栅极绝缘膜的EOT，对氧化膜进行氮化 处理是有效的，作为该方法，已知单片式的等离子体氮化处理(例如， 日本特开2000-260767号公报、日本特开2000-294550号公报)。如果在这样的氮化处理时产生氮浓度的偏差，则会成为EOT、 Vth 偏移等晶体管的电特性偏差的主要原因，使得半导体装置的制造效率 下降，因此，对氮浓度的均匀性要求非常严格，当然要求半导体晶片 的面内的氮浓度偏差小，也要求晶片间的氮浓度的偏差小。因此，尝 试极力控制氮化处理的条件以进行半导体晶片的面内和面间的均匀的 氮化处理。但是，在进行这样的单片式的等离子体氮化处理时，为了应对颗 粒、进行腔室内的调整，有在...
【技术保护点】
一种等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，其在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理，该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法的特征在于，包括： 向所述腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化， 在所述腔室内生成氧化等离子体的步骤，和 向所述腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在所述腔室内生成氮化等离子体的步骤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-5-29 141423/20071.一种等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，其在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理，该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法的特征在于，包括向所述腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在所述腔室内生成氧化等离子体的步骤，和向所述腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在所述腔室内生成氮化等离子体的步骤。2. 如权利要求1所述的等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方 法，其特征在于所述含氧的处理气体包含02气体，所述含氮的处理气体包含N2 气体。3. 如权利要求1所述的等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方 法，其特征在于所述氧化等离子体，通过使由02气体、N2气体和稀有气体构成的 处理气体等离子体化而生成，所述氮化等离子体，通过使由N2气体和 稀有气体构成的处理气体等离子体化而形成。4. 如权利要求1所述的等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，其特征在于在生成所述氧化等离子体后，生成所述氮化等离子体。5. 如权利要求1所述的等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，其特征在于在将伪基板载置在所述腔室内的基板载置台上的状态下，形成所 述氧化等离子体和氮化等离子体。6. 如权利要求1所述的等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方 法，其特征在于与所述氧化等离子体的生成时间相比，所述氮化等离子体的生成 时间较长。7. —种等离子体处理方法，其特征在于，包括实施前处理的阶段，该前处理包括向腔室内供给含氧的处理气 体，进行等离子体化，在所述腔室内生成氧化等离子体的步骤；和向 所述腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在所述腔室内生 成氮化等离子体的步骤，以及之后，在所述腔室内的基板载置台上载置具有氧化膜的被处理基 板，向所述腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，对所述氧 化膜实施等离子体氮化处理的阶段。8. 如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于 在所述实施前处理的阶段中，所述含氧的处理气体包含02气体，所述含氮的处理气体包含N2气体。9. 如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于在所述实施前处理的阶段中，所述氧化等离子体，通过使由02气体、N2气体和稀有气体构成的处理气体等离子体化而形成，所述氮化 等离子体，通过使由N2气体和稀有气体构成的处理气体等离子体化而生成。10. 如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于所述实施前处理的阶段中，在生成所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐野正树，石塚修一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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