氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和／或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种膜厚和膜质的再现性良好的氮化硅膜制作装置及氮化硅膜制作方法，特别是用于HEMT、HBT等化合物半导体元件的氮化硅膜的制作装置及制作方法。此方法，例如，如图3所示，在安装有排气口2和气体输入手段8的真空容器1中，采用了面向保持基板7的基板座3地配有钨等高熔点金属的发热体4的装置。首先，进行真空容器内部排气，通过连接端子5，由外部的电源向发热体4通电，加热维持在1000～2000℃左右。然后，通过气体输入手段8将原料气体输入真空容器内，在发热体表面或其附近，原料气体分解或活化，在基板上开始薄膜的堆积。通过将该方法用于例如GaAs系HEMT的氮化硅保护膜的堆积，可确认能够得到对基板的表面损伤少，动态特性优异的元件(R.Hattoriet al.，Technical Digest of 19th Annual GaAs IC Symp.，Anaheim，1997，p.78.)。但是，已知，另一方面，如果在若干基板上连续形成氮化硅膜，就会出现在基板间膜质和膜厚产生误差，不能得到稳定的元件特性的问题。于是，为了研究清楚其原因，在进行装置内部的部材的配置和构造、成膜条件及脱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硅膜制作装置， 通过在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板； 维持所述发热体在预定温度，分解或活化由所述气体供给系统供给的原料气体； 使氮化硅膜堆积在基板表面，其特征是： 在所述真空容器内部，配置用以包围所述发热体和基板的内壁，形成成膜空间； 设置将原料气体输入所述成膜空间的气体输入手段；同时 设置所述内壁的加热手段和／或冷却手段，形成将所述内壁温度控制在预定值的结构。

【技术特征摘要】
JP 2002-4-22 2002-1187731.一种氮化硅膜制作装置，通过在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板；维持所述发热体在预定温度，分解或活化由所述气体供给系统供给的原料气体；使氮化硅膜堆积在基板表面，其特征是在所述真空容器内部，配置用以包围所述发热体和基板的内壁，形成成膜空间；设置将原料气体输入所述成膜空间的气体输入手段；同时设置所述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将所述内壁温度控制在预定值的结构。2.如权利要求1所述的氮化硅膜制作装置，其特征是所述内壁和所述真空容器通过内壁支持部相连，两者可以独立地控制温度。3.如权利要求1所述的氮化硅膜制作装置，其特征是所述内壁连接着第1内壁和第2内壁，形成通过所述连接部支持的结构。4.如权利要求2所述的氮化硅膜制作装置，其特征是所述内壁连接着第1内壁和第2内壁，形成通过所述连接部支持的结构。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：森崎仁史，神谷保志，野村秀二，户塚正裕，奥友希，服部亮，
申请(专利权)人：佳能安内华株式会社，三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]