一种配向膜的制作方法、制作装置及配向膜制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种配向膜的制作方法、制作装置及配向膜。其中，制作方法包括：在衬底基板上涂覆电阻型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第一图层；对所述第一图层进行胺化反应；在形成有胺化后的第一图层的衬底基板上，涂覆光敏型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第二图层；对所述第二图层进行光照，使该第二图层形成用于使液晶分子定向排列的沟槽；对所述第二图层进行胺化反应。本发明专利技术将电阻型的聚酰胺共聚物的第一图形层以及光敏型的聚酰胺共聚物的第二图形层分别进行胺化，可以避免第一图形层和第二图形层相互作用，产生小分子物质，进而防止该小分子物质扩散到液晶层聚合成大颗粒物，导致显示画面出现亮点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器的制作领域，特别是指一种配向膜的制作方法、制作装置及配向膜。
技术介绍
液晶显示技术中液晶的取向至关重要，聚酰亚胺(PI)的生成过程是：通过二酐与二胺在低温下聚合反应合成，生成聚酰胺酸(简称PA)，在高温下脱水固化后(化学上是一种环化反应)，即成为聚酰亚胺；聚酰亚胺酸具有良好的可溶性，易调节浓度和粘度；固化形成不溶的稳定的聚酰亚胺膜，适当固化条件下彻底聚酰胺化后使用；可以以摩擦的方式使PI膜表面磨出沟槽，使液晶分子定向排列，但是这种Rubbing(摩擦取向)的方式由于是物理摩擦，产生沟槽的过程中会有很多颗粒物，导致液晶显示有亮点不良；现在主要利用光照使PI分子进行反应形成沟槽，使液晶分子定向排列，这种PI被称为OAPI。目前OAPI在对比度和颗粒物上优于RubbingPI，但是OAPI在预固化(Pre-cure)和主固化(Main-cure)后均无法消除电阻型和光反应型PA在环化时互相作用产生的小分子物质，这些小分子物质经过一段时间扩散到液晶层中，并逐步聚合成大的颗粒，造成液晶显示中进行性的Zara亮点不良。
技术实现思路
本专利技术的目的解决现有配向膜制作方法中易产生杂质的问题。为实现上述目的，一方面，本专利技术的实施例提供一种配向膜的制作方法，包括：在衬底基板上涂覆电阻型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第一图层；对所述第一图层进行胺化反应；在形成有胺化后的第一图层的衬底基板上，涂覆光敏型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第二图层；对所述第二图层进行光照，使该第二图层形成用于使液晶分子定向排列的沟槽；对所述第二图层进行胺化反应。进一步地，所述光敏型的聚酰胺共聚物为光异构型材料。进一步地，所述制作方法还包括：在所述第二图层形成沟槽后，采用加热方式对所述第一图层和第二图层进行固化。进一步地，对所述第一图层进行胺化反应，包括：使用加热板对所述第一图层进行加热，使所述第一图层发生胺化反应。进一步地，使用加热板对所述第一图层进行加热，包括：在相距所述第一图层21mm-25mm的位置，设置温度为78℃-82℃的加热板以对所述第一图层进行加热，加热时间为25s-35s；之后，将所述加热板设置在相距所述第一图层15mm-19mm的位置，以对所述第一图层进行加热，加热时间为85s-95s。进一步地，对所述第二图层进行胺化反应，包括：使用加热板对所述第二图层进行加热，使所述第二图层发生胺化反应。进一步地，使用加热板对所述第二图层进行加热，包括：在相距所述第二图层21mm-25mm的位置，设置温度为78℃-82℃的加热板以对所述第二图层进行加热，加热时间为25s-35s；之后，将所述加热板设置在相距所述第二图层15mm-19mm的位置，以对所述第二图层进行加热，加热时间为85s-95s。另一方面，本专利技术还提供一种配向膜的制作装置，包括：第一涂覆模块，用于在衬底基板上涂覆电阻型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第一图层；第一胺化模块，用于对所述第一图层进行胺化反应；第二涂覆模块，用于对在形成有胺化后的第一图层的衬底基板上，涂覆光敏型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第二图层；光刻模块，用于对所述第二图层进行光照，使该第二图层形成用于使液晶分子定向排列的沟槽；第二胺化模块，用于对所述第二图层进行胺化反应。进一步地，所述光敏型的聚酰胺共聚物为光异构型材料。此外，本专利技术还提供一种配向膜，所述配向膜为采用上述制作方法制成。本专利技术的上述方案具有如下有益效果：本专利技术采用电阻型PA和光反应型PA分层涂覆并分层固化，且光反应层采用异构类聚酰亚胺，而不是降解型聚酰亚胺，在光照反应时进行异构化形成沟槽对液晶取向，这样一方面减少了光敏型聚酰胺共聚物和电阻型聚酰胺共聚物在一起加热时相互作用产生小分子物质，造成使显示画面出现亮点的隐患，另一方面光异构类聚酰亚胺可以比光降解类聚酰亚胺在光照反应过程中产生的杂质大大减少，进而减少甚至避免杂质聚合后呈大颗粒并扩散到液晶层的风险。附图说明图1为本专利技术的配向膜的制作方法的步骤示意图；图2为本专利技术的配向膜的制作方法的在实际应用中的过程示意图；图3为本专利技术的配向膜的制作装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。针对现有技术的配向膜制作过程中易形成杂质，在扩散到液晶层后容易使显示画面形成亮点的问题，本专利技术提供一种解决方案。一方面，本专利技术的实施例提供一种配向膜的制作方法，如图1所示，包括：步骤11，在衬底基板上涂覆电阻型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第一图层；步骤12，对第一图层进行胺化反应；步骤13，在形成有胺化后的第一图层的衬底基板上，涂覆光敏型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第二图层；步骤14，对第二图层进行光照，使该第二图层形成用于使液晶分子定向排列的沟槽；步骤15，对第二图层进行胺化反应。在本实施例中，将电阻型的聚酰胺共聚物的第一图形层以及光敏型的聚酰胺共聚物的第二图形层分别进行胺化，可以避免第一图形层和第二图形层相互作用，产生小分子物质，进而防止该小分子物质扩散到液晶层聚合成大颗粒物，导致显示画面出现亮点。下面结合一个实现方式对本实施例的制作方法进行详细介绍。本实现方式具体步骤包括：步骤一，参考图2A，使用APR(AsahikaseIPhotosensitiveResin，感光性树脂)版，将电阻型的聚酰亚胺酸转印在衬底基板21上，从而形成第一图层22；步骤二，参考图2B，使用加热板3对第一图层22进行加热，使第一图层22发生胺化反应，并固化；作为示例性介绍，本步骤二具体在相距第一图层21mm-25mm的位置，设置温度为78℃-82℃的加热板以对第一图层进行加热，加热时间为25s-35s；之后，将加热板设置在相距第一图层15mm-19mm的位置，以对第一图层进行加热，加热时间为85s-95s；经实验证明，两次不同温度下的加热，可以使第一图层胺化反应后能得到更加稳定的薄膜结构；步骤三，参考图2C，使用APR版，将光敏型的聚酰亚胺酸转印在衬底基板21上，从而形成第二图层23；步骤四，参考图2D，采用掩膜板4，对第二图层23进行光照，使该第二图层形23行成用于使液晶分子定向排列的沟槽；具体地，本专利技术的光敏型的聚酰胺共聚物优选为光异构型材料，光异构型材料的第二图层在受到光照后，仅是结构发生了改变，从而生成沟槽，但其本身并不因光照影响产生新的物质，即避免了配向膜在光照后生成杂质。步骤五，参考图2E，使用加热板3对第二图层23进行加热，使第二图层23发生胺化反应；与上述步骤二相同，步骤五具体包括：在相距第一图层21mm-25mm的位置，设置温度为78℃-82℃的加热板以对第二图层进行加热，加热时间为25s-35s；之后，将加热板设置在相距第二图层15mm-19mm的位置，以对第一图层进行加热，加热时间为85s-95s；步骤六(可选)，在分别对第一图层和第二图层进行胺化反应后，采用加热方式对第一图层和第二图层进行进一步的固化。综上所述，本实现方式采用电阻型聚酰胺共聚物和光敏型聚酰胺共聚物分层涂覆并分层胺化，且光敏层采用光异构类聚酰亚胺，而不是光降解型聚酰亚胺，在光照反应时进行异构化形成沟槽对液晶取向，这样一方面减少了光敏型聚酰胺共聚物和电阻型聚酰胺共本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配向膜的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上涂覆电阻型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第一图层；对所述第一图层进行胺化反应；在形成有胺化后的第一图层的衬底基板上，涂覆光敏型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第二图层；对所述第二图层进行光照，使该第二图层形成用于使液晶分子定向排列的沟槽；对所述第二图层进行胺化反应。

【技术特征摘要】
1.一种配向膜的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上涂覆电阻型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第一图层；对所述第一图层进行胺化反应；在形成有胺化后的第一图层的衬底基板上，涂覆光敏型的聚酰胺共聚物，生成配向膜的第二图层；对所述第二图层进行光照，使该第二图层形成用于使液晶分子定向排列的沟槽；对所述第二图层进行胺化反应。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述光敏型的聚酰胺共聚物为光异构型材料。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第二图层形成沟槽后，采用加热方式对所述第一图层和第二图层进行固化。4.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，对所述第一图层进行胺化反应，包括：使用加热板对所述第一图层进行加热，使所述第一图层发生胺化反应。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，使用加热板对所述第一图层进行加热，包括：在相距所述第一图层21mm-25mm的位置，设置温度为78℃-82℃的加热板以对所述第一图层进行加热，加热时间为25s-35s；之后，将所述加热板设置在相距所述第一图层15mm-19mm的位置，以对所述第一图层进行加热，加热时间为85s-95s。6.根据权利要求1-3任...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧莲，王炎，佟洁，王学路，刘金山，丁磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11