【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用等离子体，例如微波等离子体，对被处理体实施等离子体处理的 等离子体处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
在各种半导体装置的制造中，作为被处理的半导体晶片进行氧化处理、氮化处理、 蚀刻处理或成膜处理等等离子体处理。例如，作为氮化处理，能够列举用于形成MIS型晶体管的栅极绝缘膜的氮化处理。 作为形成栅极绝缘膜时的氮化处理，存在将硅基板直接氮化处理而形成由氮化硅构成的栅 极绝缘膜的处理(例如，日本特开2000-294550号公报)，和在形成氧化膜后对其表面进行 氮化处理的处理(例如，美国专利第6660659号公报)。另外，为了防止DRAM的电容器的多 晶硅电极的氧化而在其表面进行氮化处理的处理(例如，特开2007-5696号公报)也为众 所周知。作为进行这样的氮化处理的等离子体装置，如上述日本特开2000-294550号公 报、日本特开2007-5696号公报所公开的，作为能够利用高密度、低电子温度的等离子体进 行低损伤、高效率的处理的装置，公知有RLSA微波等离子体处理装置，该装置使用具有多 个缝隙的RLSA(Radial Line Slot A...
【技术保护点】
一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置被处理体；在所述处理容器内形成等离子体生成空间；和在至少使被处理体的表面与该等离子体生成空间接触的状态下对被处理体的表面实施等离子体处理，在实施所述等离子体处理时，使等离子体生成空间与被处理体的背面侧的至少外周部分接触。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-7-11 182030/2007一种等离子体处理方法，其特征在于，包括在处理容器内配置被处理体；在所述处理容器内形成等离子体生成空间；和在至少使被处理体的表面与该等离子体生成空间接触的状态下对被处理体的表面实施等离子体处理，在实施所述等离子体处理时，使等离子体生成空间与被处理体的背面侧的至少外周部分接触。2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于在所述处理容器内具有被处理体装置部，该被处理体载置部具有板和相对于该板可突 出没入地设置的被处理体升降部件，在使所述被处理体升降部件从所述板突出规定距离的 状态下，将被处理体载置在所述被处理体升降部件上，由此在板与被处理体之间形成规定 距离的等离子体生成空间，形成等离子体生成空间与被处理体的背面侧的至少外周部分接 触的状态。3.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于 所述板与被处理体间的距离为0. 3mm以上。4.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于在所述处理容器内设置直径比被处理体小的载置被处理体的载置台，在该载置台上以 外周部分从该载置台的端部突出的状态载置被处理体，通过在此状态下形成等离子体，从 而形成等离子体生成空间与被处理体的背面侧的至少外周部分接触的状态。5.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于 所述等离子体处理是等离子体氮化处理。6.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于 所述等离子体处理利用微波等离子体进行。7.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括 在处理容器内配置被处理体；在所述处理容器内形成等离子体生成空间；和在至少使被处理体的表面与该等离子体生成空间接触的状态下对被处理体的表面实 施等离子体处理，在被处理体的周边部的外围部分实际不存在遮挡等离子体的部件，并且在被处理体的 外围部分等离子体在被处理体的表面的下方存在的状态下，实施所述等离子体处理。8.如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于在被处理体的外围部分，等离子体在被处理体的表面下方2 12mm处存在。9.如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于 所述等离子体处理是等离子体氮化处理。10.如权利要求7述的等离子体处理方法，其特征在于 所述等离子体处理利用微波等离子体进行。11.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括 收容被处理体的处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的被处理体载置部；对所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；在所述处理容器内形成处理气体的等离子体的等离子体形成单元；和控制所述被处理体载置部的控制部，所述被处理体载置部具有板；相对该板可突出没入地设置的、在其上支承被处理体 并进行升降的被处理体升降部件；和升降驱动所述被处理体升降部件的升降机构，所述控制部控制所述升降机构，使得所述被处理体升降部件成为从所述基座突出规定 距离的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥哲朗，藤野丰，户岛宏至，久保敦史，康松润，P芬泽克，濑川澄江，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。