公开的电容器包括：两个电极层；晶体电介质材料层，其位于所述两个电极层之间；以及非晶材料层，其位于所述两个电极层中的至少一个与所述晶体电介质材料层之间。

提供一种非晶碳膜的处理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在衬底上，并在被干蚀刻后实施了湿式洗涤处理，所述非晶碳膜的处理方法包括以下步骤：准备具有经湿式洗涤处理后的非晶碳膜的衬底；以及在向经湿式洗涤处理后的非晶碳膜上形成上层之前，进行非晶碳膜...

通过进行光刻处理，在金属薄板上形成预定的图案。将该图案作为掩模而蚀刻金属薄板，从而在金属薄板上形成多个直径比探针的直径大的贯穿孔。对多个金属薄板进行该蚀刻。在除去图案之后，将各金属薄板的各贯穿孔对准导向架的导向销，层叠多个金属薄板。通过...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用...

在将金属系膜成膜时，对多张被处理基板反复进行如下工序，即在腔室内形成预涂覆膜的工序；对多张被处理基板进行如下处理的工序，即在预涂覆后的腔室内搬入被处理基板并载置在工作台上，边加热被处理基板，边供给处理气体地生成处理气体的等离子体，利用等...

本发明提供一种载置台装置、处理装置以及温度控制方法。载置台装置具备：载置台（２６），其用于在上表面载置被处理体（Ｗ）；加热机构（３０），其具有在载置台（２６）上呈同心状被划分的多个加热区域的每个区域内设置的多个加热器部；腿部（２８），其...

本发明通过提供一种电容器解决上述课题，所述电容器的特征在于，具有：由具有导电性的金属或金属化合物组成的下部电极层；在所述下部电极层上形成的由ＺｒＯ２组成的第一介电体膜；在所述第一介电体膜上形成的由具有含Ｔｉ的金属氧化物的介电体组成的第二...

本发明提供如下的半导体装置的制造方法，即，在基板上的形成了凹部的层间绝缘膜的露出面形成屏蔽膜，在凹部内形成与下层侧的金属配线电连接的金属配线时，可以形成阶梯覆盖性良好的屏蔽膜，而且可以抑制配线电阻的上升。在将向形成于层间绝缘膜的凹部的底...

本发明提供负载锁定装置和基板冷却方法，该负载锁定装置（６、７）包括：容器（３１），其设置为能够使压力在与真空的搬送室（５）对应的压力和大气压之间变动；将容器（３１）内的压力调整为与搬送室（５）对应的真空和大气压的压力调整机构（４９）；相...

本发明提供一种热处理装置，其对被处理体（Ｗ）实施热处理，其包括：形成为能够收容被处理体的处理容器（６）；支承被处理体的支承单元（３８）；设置在处理容器的顶棚部的第一照射窗（２６Ａ）；设置在第一照射窗的外侧的、发出加热用的热射线的第一加热...

本发明提供粒子检测辅助方法和粒子检测方法，能够实现以现有的光散射光不能检测出的微小的有机类粒子和无机类粒子的准确的检测。该方法包括：吸附渗透工序，通过使有机类气体与半导体制造工序中的有机类粒子接触而使有机类气体成分吸附和渗透于该有机类粒...

本发明涉及一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含：沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的...

本发明提供一种液体原料气化器，具有气化部，所述气化部具备：导入口，其从液体原料供给部导入液滴状的液体原料；有底筒状的外壳主体，其在所述导入口侧具有开口端；柱状块体，其具有将所述外壳主体的开口端封闭的凸缘部，并且以相对于所述外壳主体的内侧...

本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台（５）的电极（７）供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置（１００）中，在相对于载置台（５）作为相对电极起作用的铝制的盖部（２７）的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜（４８...

本发明具备：第１喷砂工序，使用由非升华性材料构成的喷砂材（例如氧化铝）对喷头部和处理容器等的金属母材的表面进行喷砂处理；第２喷砂工序，使用由升华性材料构成的喷砂材（例如干冰）对实施了所述第１喷砂工序的所述金属母材的表面进行喷砂处理。通过...

本发明提供一种气体供给装置（３），具备：主体部（３１），其具有用于使气体从缩径端（３２ａ）侧向扩径端（３２ｂ）侧流通的近似圆锥形的气体流通空间（３２）；气体导入口（６１ａ～６３ａ、６１ｂ～６３ｂ），其设于气体流通空间（３２）的缩径端（３...

本发明提供载置台构造以及热处理装置，能防止在载置台的中心部产生冷却点，防止该载置台本身破损，并且能够提高对被处理体的热处理的面内均匀性。设置在热处理装置的处理容器（２２）内，用于载置作为应进行热处理的被处理体的半导体晶片（Ｗ）的载置台构...

本发明提供等离子体测定方法、等离子体测定装置和存储介质，其能够确定电正性等离子体区域与电负性等离子体区域的边界的处理条件。在真空容器内，阶段性地改变从包括电负性气体和电正性气体的流量比、上述真空容器内的压力、以及使上述电负性气体和电正性...

本发明提供一种液体处理装置和液体处理方法，液体处理装置包括：第二壳体（２０）；能与第二壳体（２０）抵接的第一壳体（１０）；用于保持被处理体（Ｗ）的保持部（１）；使由保持部（１）保持的被处理体（Ｗ）旋转的旋转驱动部（６０）；将处理液供给到...

本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器（２２）内，用于载置被处理体（Ｗ）的载置台构造（５４）。该载置台构...