【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于将规定频率的电磁波向对被处理体进行等离子体处理的处理容器导入的平板天线部件、以及具备该平板天线部件的等离子体处理装置。
技术介绍
作为对半导体晶片等被处理体进行氧化处理、氮化处理等等离子体处理的等离子 体处理装置，公知有使用具有多个槽的平板天线部件向处理容器内导入例如频率2. 45GHz 的微波来生成等离子体的方式的等离子体处理装置(例如JP特开平11-260594号公报、JP 特开2001-223717号公报)。在这种微波等离子体处理装置中，通过生成具有高等离子体密 度的等离子体，能够在腔室内形成表面波等离子体。在上述方式的等离子体处理装置中，当腔室内的压力变高时，存在等离子体密度 降低的倾向。当等离子体密度变低时，等离子体的角频率变得小于2. 45GHz的微波的角频 率，从而变得无法稳定地维持表面波等离子体。例如，在腔室内压力以133. 3Pa以上的条件 进行等离子体处理时，等离子体密度不充分地上升，表面波等离子体截止(cut off)，有时 会变成不是表面波等离子体的通常的主等离子体。面向下一代以后的设备开发，为了实现例如三维器件加工和应...
【技术保护点】
一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含：沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口；在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口，从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离Ｌ１与上述平板天线部件的半径ｒ之比Ｌ１／ｒ在０．３５～０．５的范围内，从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离Ｌ２与上述平板天线部件的半径ｒ之比Ｌ２／ｒ在０．７～０．８５的范围内。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-3-14 2008-065635一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口；在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口，从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35～0.5的范围内，从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7～0.85的范围内。2.根据权利要求1所述的平板天线部件，其特征在于，第三圆的半径L3与上述半径r 之比L3/r在0. 5 0. 7的范围内，其中，该第三圆相对于以上述距离Ll为半径且通过上述 第一贯通口的中心的第一圆和以上述距离L2为半径且通过上述第二贯通口的中心的第二 圆呈同心圆状，并且通过该第一圆的圆周与该第二圆的圆周之间的径向上的中间点。3.根据权利要求1或2所述的平板天线部件，其特征在于，上述距离L2以及上述距离 Ll之差(L2-L1)与上述平板天线部件的半径r之比(L2-L1)/r在0. 2 0. 5的范围内。4.根据权利要求1 3中任一项所述的平板天线部件，其特征在于，上述第一贯通口和 上述第二贯通口都是细长形状，上述第二贯通口的长度方向相对于上述第一贯通口的长度 方向所成的角度在85° 95°的范围内。5.根据权利要求4所述的平板天线部件，其特征在于，上述第一贯通口的长度方向 相对于连接上述平板天线部件的中心与该第一贯通口的中心的直线所成的角度在30° 50°的范围内。6.根据权利要求4或5所述的平板天线部件，其特征在于，上述第二贯通口的长度方向 相对于连接上述平板天线部件的中心与该第二贯通口的中心的直线所成的角度在130° 150°的范围内。7.根据权利要求1 6中任一项所述的平板天线部件，其特征在于，连接从上述平板天 线部件的中心到上述第一贯通口的中心的直线与连接从上述平板天线部件的中心到上述 第二贯通口的中心的直线所成的角度在8° 15°的范围内。8.根据权利要求1 7中任一项所述的平板天线部件，其特征在于，由上述电磁波发生 源发生的电磁波的频率在800 1000MHz的范围内。9.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备处理容器，其收容被处理体且可抽真空；气体导入部，其向上...
【专利技术属性】
技术研发人员：植田笃，足立光，田才忠，福田良则，本乡俊明，吉冈正雄，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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