本发明提供一种流体控制装置，能够实现零件数量的削减和组装作业效率的提高。相对的拆卸频率较高的压力显示器（４）通过来自上方的螺钉部件（１７）与位于下方的基座块（５）结合。相对的拆卸频率较低的开闭阀（６）在下方具有一体设置的块状主体（６ａ）...

本发明提供一种薄膜和使用该薄膜的半导体装置的制造方法。该薄膜在半导体装置的制造过程中使用，其形成在半导体基板上，在使用于特定的功能之后，能够被除去，该薄膜包含硅、锗和氧。

本发明要解决的技术问题是：在以前的数据显示装置中无法适当地显示半导体过程中测量的数据等时间序列数据。包括：第一显示部（１３０７），将作为与半导体过程的处理时状态有关的时间序列数据的多个过程相关数据与时间轴对应地以第一显示宽度显示；范围指...

本发明控制处理过程中沿着衬底控制径向或非径向温度分布，来补偿非均匀的影响，其包括由系统或处理引起的多种非均匀性。通过沿着晶片支撑卡盘（衬底支撑台２０、２０ａ）上不同的区域以不同的方式流出背部气体来控制温度，优选动态的控制，以改变沿着晶片...

本发明提供处理装置、处理方法、被处理体的识别方法和存储介质。利用ＣＣＤ检测器（３０），对在处理单元（１）的入口附近的待机位置（Ｗ１）待机的半导体晶片（Ｗ）的外周的圆弧形状进行摄像。根据摄取的半导体晶片（Ｗ）的外周的圆弧形状，利用运算部（...

本发明公开了一种设置在能够使内部保持减压的腔体和对该腔体内进行排气的排气装置之间的阀。该阀具有：包含第一开口和第二开口的第一阀主体，该第一开口和第二开口容许气体在腔体和排气装置之间连通；封闭用阀体，配置在第一阀主体内，与第一阀主体的第二...

本发明提供一种Ｔｉ膜的成膜方法，其包括下述步骤：将具有Ｓｉ部分的被处理基板配置在载置台上；对被处理基板进行加热；使腔室内成为规定的压力；向腔室内导入含有ＴｉＣｌ↓［４］气体和还原气体的处理气体；通过利用高频电场形成单元形成高频电场使处理...

本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是０．５％以上不足１０％并且处理压力为１．３～６...

本发明提供一种粉体状物质源供给系统的清洗方法，能够防止在成膜处理时从容器内或导入管内流出颗粒。基板处理系统（１０）具有粉体状物质源供给系统（１２）和成膜处理装置（１１）。粉体状物质源供给系统包括：收容粉体状物质源（１３）（羰基钨）的安瓿...

本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。该成膜方法，在向基板供给使固体原料升华而得到的金属原料络合物例如醋酸铜的气体作为原料气体，通过该原料气体的化学反应在基板上形成金属铜的膜时，能够大幅抑制原料气体的消耗量。向处理容器内供给使固体原料...

本发明提供一种设置在排出来自对被处理体Ｗ进行处理的处理室（１０）的排放气体的排气通路（２２）上，用于从排放气体捕获排气物的捕集装置，能够高效率地将被捕集元件捕获的排气物除去再生捕集元件的技术。捕集装置包括：设置在排气通路的筐体并捕获排气...

本发明涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质。在具有保持真空气氛的处理容器和保持真空气氛的搬送室的真空处理装置中，抑制处理容器内的残留气体向搬送室的扩散，其中，该处理容器利用处理气体进行处理并具有搬送口，该搬送室通过闸室...

公开了一种等离子加工设备，其包括容纳要进行预定的等离子加工的基体且可以被排放至减小的压力的加工腔体；微波发生器，其产生用于形成等离子体的微波；导波管，其将微波从微波发生器传输到加工腔体；导波管／同轴管转换器，其连接到导波管的一端；同轴管...

本发明提供一种可精确地控制成膜速度的蒸镀源单元、蒸镀装置和蒸镀源单元的温度调整方法。蒸镀装置（２０）具有蒸镀源单元（１００）、输送被气化的成膜材料的输送机构（２００）、和喷出被输送的成膜材料的喷出机构（４００）。蒸镀源单元（１００）具有...

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：（ａ）形成具有碳和氟的气体的等离子体，和使用等离子体在衬底上形成具有氟掺杂碳膜的内绝缘膜；（ｂ）在所述内绝缘膜上形成金属膜；（ｃ）根据图案蚀刻所述金属膜以形成硬掩模；（ｄ）通过利用所述硬掩模来蚀刻...

本发明提供一种ＣＶＤ成膜装置。该成膜装置通过加热机构加热被载置在载置台２２的晶片Ｗ，同时使成膜用的气体在晶片的表面发生反应通过ＣＶＤ在晶片Ｗ上形成规定的膜，该成膜装置具备具有母材２４ａ和设置在母材的至少背面侧的低辐射率膜２４ｂ的覆盖部件...

本发明提供使用羰基原料的金属膜的成膜方法、多层配线构造的形成方法、半导体装置的制造方法、成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：第一工序，将金属元素的羰基原料以气相分子的形态与抑制上述气相分子的分解的气相成分一起供给至被处理基板表面，其中...

本发明使用等离子体处理装置（１００），向腔室（１）内导入含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体，利用微波产生等离子体，通过该等离子体在被处理体表面堆积氮化硅膜。其中，该等离子体处理装置（１００）利用具有多个孔的平面天线（３１）向腔室（１）...

本发明提供成膜装置、成膜方法和存储介质。该成膜装置包括：处理容器（３１）；和配置在处理容器（３１）内、用于载置基板Ｗ的载置台（７１）。该成膜装置还包括：气体喷淋头（５１），其具有多个气体供给孔（６１ａ、６２ａ、６３ａ），被划分为与该基板...

本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序（ａ），使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路...