本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体...

本发明提供一种负载锁定装置和真空处理系统。在具有多段的真空预备室的负载锁定装置中，防止由隔壁的变形造成的颗粒的发生。负载锁定装置（５）具有通过隔壁（４７）隔开的上下２段的真空预备室（２７ａ、２７ｂ）。在隔壁（４７）形成有上下贯通的一对缝...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：基板加热部件，其是为了对被设在真空容器内的旋转台上的所载置的基板进行加热而设置的；反应气体供给部件，互相沿旋转台的周向隔开间隔地设置，分别用于向上述旋转台上的基板载置区域侧的面上供给反应...

本发明提供一种实现抑制涂敷涂敷液时产生的气泡来提高涂敷液膜的均匀化及成品率的涂敷处理方法及涂敷处理装置。还提供实现涂敷液的有效利用及涂敷液膜的均匀化的涂敷处理方法及涂敷处理装置。本发明的涂敷处理方法如下所述：使半导体晶圆（Ｗ）以低速的第...

本发明提供基板检查方法、基板检查装置和存储介质。本发明的基板检查方法能够高精度地进行基板的检查。利用摄像照相机对包含三维的世界坐标系的坐标为已知的基准点的夹具进行摄像，取得由摄像元件的像素组指定的图像坐标系上的上述基准点的坐标。然后，将...

本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波...

本实用新型涉及基板处理装置，其将基板浸入贮存的处理液中，进行基板处理。该基板处理装置设有具有相向配置的一对侧壁的处理槽和分别对应于上述一对侧壁而设置的一对处理液供给机构。上述一对处理液供给机构向连接上述一对侧壁的宽度方向上的上述处理槽内...

本发明提供一种即使在高温检查中探针卡热膨胀也始终能够以适当的接触负载进行检查的检查装置。本发明的检查装置（１０）具有能够调节温度的载置台（１１）、升降驱动机构（１２）、探针卡（１３）和控制装置（１４），升降驱动机构（１２）包括：使载置台...

本发明提供一种热处理装置、热处理方法和存储实施该方法的程序的存储介质。在使作为用于加热基板的加热板的面板冷却时，即使在冷却气体流量小的情况下，也能够在很短时间内使该面板冷却。在面板的下侧设置在内周侧形成有气体排出口的整流板。此外，在该面...

本发明提供插入单元，其去掉断路器和电气设备的配线，削减部件件数和配线工时，由削减配线失误而实现品质提高。在具备与电源侧的母线棒（６）电连接的断路器（１０）、与断路器电连接的例如磁导体等的电气设备（２０）的插入单元（１）中，形成与断路器和...

本发明提供一种能够抑制等离子体处理时生成的附着物的扬起，降低被处理体的污染的等离子体处理装置。在将处理气体在阳极电极与阴极电极间等离子体化、向被处理体Ｓ进行处理的等离子体处理装置中，上侧整流壁（５１）与下侧整流壁（５２）在形成一方的电极...

本发明提供能够稳定且在短时间内变更装置状态的等离子体处理装置以及等离子体处理装置的运转方法。本发明的等离子体处理装置，具有输出干预处理容器内的等离子体的高频的多个高频电源，将这些输出功率依次阶段性地增大，由得到的等离子体对被处理体进行处...

本发明提供一种基板位置检测装置、基板位置检测方法、成膜装置、成膜方法。公开的基板位置检测装置包括：对作为位置检测对象的基板（Ｗ）进行拍摄的摄像部；被配置在摄像部和基板之间，具有确保摄像部相对于基板的视场的第１开口部的光散射性的板构件；将...

本发明提供一种成膜装置和成膜装置的清洁方法。所公开的成膜装置包括：基座，其能旋转地设置在容器内，在一个面上具有用于载置基板的基板载置部；气体供给系统，其对上述基座的上述一个面供给原料气体；清洁用构造体，其具有：配置在基座的上方，朝着基座...

本发明公开一种等离子体加工方法，其通过使用含碳氟化合物的加工气体的等离子体加工目标对象。使用的碳氟化合物在分子内具有至少一个三键和至少一个以单键结合到与相邻碳原子形成三键的碳原子上的ＣＦ３基团，例如１，１，１，４，４，４－六氟－２－丁炔...

本发明涉及一种能够使涂布膜的膜厚控制特别是周缘部的膜厚均匀化容易进行的涂布方法以及涂布装置。该涂布方法使被处理基板与长型喷嘴的喷出口，隔着微小间隙大致水平地对向，进行一边从喷嘴向基板喷出处理液，一边使喷嘴在相对水平方向上移动的涂布扫描，...

本发明提供一种等离子体处理装置。其对被处理体进行面内均匀性高的等离子体处理。以隔着电介质窗部件（３）与载置台（２７）相对的方式设置天线（５）。该天线（５），由各个长度相等、相互横向平行排列的直线状的多个天线部件（５１）构成。该天线（５）...

本发明提供一种等离子体处理装置及其构成部件，该等离子体处理装置的构成部件能够防止沉积物在角部堆积。在利用等离子体对晶片（Ｗ）实施干蚀刻处理的等离子体处理装置（１０）所具备的上部电极（３３）的外侧电极（３３ｂ），内周部（３３ｃ）和倾斜面（...

本发明涉及环状部件及其制造方法，根据本发明的环状部件，能够抑制等离子体导致的消耗和生产率的恶化。在对晶片Ｗ实施等离子体蚀刻处理的基板处理装置（１０）中，该环状部件是收纳于在内部产生等离子体的反应室（１７）的聚焦环（２４），由在圆周方向上...

本发明提供一种成膜装置、成膜方法、半导体制造装置及其所用的基座。所公开的半导体制造装置包括：对基板进行规定处理的容器；基板输送臂，包括支承基板（Ｗ）的背面周缘部的爪部，能进入容器内或从容器内退出；基座，包括台阶部和用于载置基板的载置区域...