本发明提供一种冷却装置及冷却方法。该冷却装置及冷却方法能够通过简化制冷剂回路来削减制造成本，并能够始终维持稳定的冷却能力。本发明的冷却装置（２０）包括：配置在压缩制冷剂的压缩机（２１）的下游侧且利用冷却水使来自压缩机（２１）的一次制冷剂...

本发明提供一种减压干燥装置及减压干燥方法。该减压干燥装置对涂敷有处理液的被处理基板进行上述处理液的干燥处理而形成涂敷膜，能够缩短处理液的干燥时间，而且获得均匀的膜厚。减压干燥装置包括：室（８５、８６），收容被处理基板（Ｇ），形成处理空间...

本发明提供一种能够高灵敏度地检测异物的光学式异物检测装置以及搭载它的处理液涂布装置。构成为使以水平状态载置在载物台（２）上的被处理基板（１）和具有沿上述基板（１）的宽度方向延伸的狭缝状喷出开口（１１ｂ）的处理液供给喷嘴（１１）相对地移动...

本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板（Ｗ）载置在下部电极的基座（１６）上，并由高频电源（３０）施加等离子体生成用的...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为４０ＭＨｚ以上的ＲＦ电压的Ｒ...

本发明提供一种载置台，该载置台能够降低顶板的表面电阻，得到稳定的测定结果，并且能够降低制造成本，进一步而言，即使向顶板施加高电压也能够使顶板从下侧部件确实地电绝缘，能够确实防止从顶板泄露电流。本发明的载置台（２０）具备：具有半导体晶片（...

本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座（１６）上载置被处理基板（...

本发明提供一种成膜装置及成膜方法。该成膜装置包括：反应容器，其能够排气减压；基板保持部，其被设置成能够在该反应容器内旋转，并用于保持基板；第１反应气体供给部，其用于使第１反应气体从基板保持部的外缘部向中央部流动；第２反应气体供给部，其用...

本发明提供一种成膜装置及成膜方法。该成膜装置包括：多个第１板状构件，其设置在能气密的圆筒状的容器内，具有开口部，在沿容器的中心轴线的第１方向等间隔排列；多个第２板状构件，在第１方向上等间隔排列，能在多个第１板状构件具有的开口部的内侧进行...

本发明提供一种检查装置和检查方法，能够将空气的循环装置紧凑化，同时将探针室内的露点稳定化，并能够进行可靠性高的低温检查。本发明的检查装置（１０）包括：探针室（１２）、沿探针室（１２）的背面配置且使探针室（１２）内的干燥空气循环的循环装置...

本发明提供一种Ｔｉ类膜的成膜方法，其在成膜中，不产生预涂膜和喷淋头及基座的反应等不良情况，能够抑制处理膜厚的面间偏差。反复进行如下工序：在基座（２）上不存在晶片（Ｗ）的状态下，将基座（２）加热，利用含Ｔｉ的处理气体，至少在喷淋头（１０）...

本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板（Ｗ）载置在下部电极的基座（１６）上，并由高频电源（３０）施加等离子体生成用的...

本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板（Ｗ）载置在下部电极的基座（１６）上，并由高频电源（３０）施加等离子体生成用的...

本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给至少两种反应气体而在基板上形成薄膜的成膜装置包括：旋转台；上述旋转台上的基板载置部；相互分离地设置，在上述旋转台上分别将第１、第２反应气体供给到第１、第２处理区域的第１、第...

本发明提供一种将多种反应气体依次向基板供给的成膜装置，在真空容器内供给第１及第２反应气体来形成薄膜，其具有：旋转台；第１反应气体供给部及第２反应气体供给部，其分别在以旋转中心为圆心的第１角度位置和第２角度位置沿径向延伸；第１分离气体供给...

本发明提供一种成膜装置、成膜方法。该成膜装置包括：能旋转地设置在容器内的基座；设置在基座的一个面上的基板载置区域；包括能够独立控制的多个加热部、加热基座的加热单元；对一个面供给第一反应气体的第一反应气体供给部；与第一反应气体供给部分开、...

本发明提供一种成膜装置及基板处理装置，该成膜装置具有：旋转台、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第１反应气体供给部和第２反应气体供给部、设置于该第１反应气体供给部和第２反应气体供给部之间的第１分离气体供给部。该成膜装置中形成有：包含第１反...

本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法，成膜装置包含以可旋转的方式设置在在容器内的旋转台。第１及第２反应气体供给部分别向旋转台的一个面供给第１反应气体及第２反应气体。向位于被供给第１反应气体的第１处理区域和被供给第２反应气体的第...

本发明提供一种纵型热处理装置以及基板支承器具，该纵型热处理装置包括：基板支承器具，能够沿上下方向以规定的间隔支承多片被处理基板；移载机构，在基板支承器具与能够收纳多个被处理基板的收纳容器之间移载多片被处理基板；热处理炉，对连同基板支承器...

本发明提供成膜装置、基板处理装置、成膜方法。成膜装置在真空容器内将相互反应的至少２种反应气体按顺序供给到基板表面上且执行该供给循环而层叠多层反应生成物的层从而形成薄膜。该成膜装置包括：旋转台、基板载置区域、第１反应气体供给部、第２反应气...