等离子体处理方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板（Ｗ）载置在下部电极的基座（１６）上，并由高频电源（３０）施加等离子体生成用的高频。将在基座（１６）的上方与它平行相对配置的上部电极（３４）经由环状的绝缘体（３５）在电气浮起的状态下安装在腔室（１０内。在上部电极（３４）的上面和腔室（１０）的顶棚之间的空间（５０）中设置电容可变的可变电容器（８６）。根据处理条件由电容控制部（８５）改变可变电容器（８６）的电容，对上部电极（３４）的接地电容进行切换。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对被处理基板实施等离子体处理的技术，尤其涉及电 容耦合型的等离子体处理装置及等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体器件或FPD (Flat Panel Display:平板显示器)的制造工 艺中的蚀刻、沉积、氧化和溅射等的处理中，为了在处理气体中以比 较低的温度进行良好的反应经常利用等离子体。在现有技术中，在枚 页式的等离子体处理装置、尤其是等离子体蚀刻装置中，电容耦合型 的等离子体处理装置已成为主流。一般来说，电容耦合型的等离子体处理装置在作为真空腔室来形 成的处理容器内平行地配置有上部电极和下部电极，在下部电极之上 载置被处理基板(半导体晶片、玻璃基板等)，在两电极的任何一方施 加高频电压。凭借由该高频电压在两电极之间形成的电场使电子加速， 由电子与处理气体的碰撞电离产生等离子体，由等离子体中的自由基 和离子在基板表面上实施需要的微细加工(例如蚀刻加工)。这里，由 于施加了高频率的一侧电极经由匹配器内的隔离电容器(blocking capacitor)连接到高频电源上，就作为阴极(cathode)(阴极)来工作。在支承基板的下部电极上施加高频率来将它当作阴极的阴极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：　可真空排气的、接地的处理容器；　经由绝缘物或空间安装在所述处理容器内的第一电极；　静电电容可变部，该静电电容可变部电气地连接在所述第一电极和接地电位之间，在设置于所述第一电极与所述处理容器的侧 壁之间的环状绝缘体中形成有环状的液体收容室，经由配管从所述处理容器的外面向所述液体收容室导入具有规定的介电常数的液体或者从所述液体收容室向所述处理容器的外面导出具有规定的介电常数的液体，从而使静电电容可变；　在所述处理容器内隔开规定的间隔 与所述第一电极平行配置，并与所述第一电极相对，支承被处理基板的第二电极；　向所述第一电极、所述第二电极和所述处理...

【技术特征摘要】
JP 2006-3-30 2006-0929391.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括可真空排气的、接地的处理容器；经由绝缘物或空间安装在所述处理容器内的第一电极；静电电容可变部，该静电电容可变部电气地连接在所述第一电极和接地电位之间，在设置于所述第一电极与所述处理容器的侧壁之间的环状绝缘体中形成有环状的液体收容室，经由配管从所述处理容器的外面向所述液体收容室导入具有规定的介电常数的液体或者从所述液体收容室向所述处理容器的外面导出具有规定的介电常数的液体，从而使静电电容可变；在所述处理容器内隔开规定的间隔与所述第一电极平行配置，并与所述第一电极相对，支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极、所述第二电极和所述处理容器的侧壁之间的处理空间提供所希望的处理气体的处理气体供给部；为了在所述处理空间生成所述处理气体的等离子体，在所述第二电极上施加第一高频的第一高频供电部；以及根据被实施等离子体处理的所述基板的等离子体处理的处理条件或者所述基板的处理片数切换所述静电电容可变部的静电电容的静电电容控...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，舆水地盐，岩田学，田中谕志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]