【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种通过反复进行将相互反应的至少2种反应气体依次供给到基板表面上的循环来形成层叠了反应生成物的薄膜的以及存储执行该方法的程序的存储介质。
技术介绍
作为半导体制造工艺中的成膜方法，众所周知的工艺是在真空气氛下使第l反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)等的表面上之后，将供给的气体切换为第2反应气体，通过两种气体的反应形成l层或多层原子层、分子层，通过多次进行该循环层叠这些层，向基板上进行成膜。该工艺例如^皮称为ALD ( Atomic Layer Deposition )或MLD(Molecular Layer Deposition)等，才艮才居4盾环凄t能高4青度;也控制膜厚，并且，膜质的面内均勻性也良好，是能应对半导体器件薄膜化的有效方法。作为适合这样的成膜方法的例子，例如可以举出^^极氧化膜所使用的高电介质膜的成膜。举一个例子，在形成氧化硅膜(Si02膜)的情况下，作为第l反应气体(原料气体)，例如可以使用双叔丁基氨基硅烷(以下称为「BTBAS」)气体等，作为第2反应气体(氧化气体)可以使用臭氧气体等。作为实施这样的成膜方法的装置...
【技术保护点】
一种成膜装置，在真空容器内将相互反应的至少２种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环，从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜，其特征在于，该成膜装置包括： 旋转台，其设置在上述真空容器内； 基板载置区域，其是为了将基板载置在上述 旋转台上而设置的； 第１反应气体供给部及第２反应气体供给部，沿上述旋转台的旋转方向相互分离地设置，用于分别将第１反应气体及第２反应气体供给到上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面上； 分离区域，其为了分离被供给上述第１反应气体的第１处理区 域和被供给第２反应气体的第２处理区域的气氛，而在上述旋转方向上位于这些处理区域之间，该分离区...
【技术特征摘要】
JP 2008-9-4 2008-2270331.一种成膜装置，在真空容器内将相互反应的至少2种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环，从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜，其特征在于，该成膜装置包括旋转台，其设置在上述真空容器内；基板载置区域，其是为了将基板载置在上述旋转台上而设置的；第1反应气体供给部及第2反应气体供给部，沿上述旋转台的旋转方向相互分离地设置，用于分别将第1反应气体及第2反应气体供给到上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面上；分离区域，其为了分离被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域的气氛，而在上述旋转方向上位于这些处理区域之间，该分离区域包括顶面和用于供给分离气体的分离气体供给部，该顶面位于上述分离气体供给部的上述旋转方向两侧，在顶面与旋转台之间形成有用于使分离气体从该分离区域向处理区域侧流动的狭窄的空间；中心部区域，其为了分离上述第1处理区域和上述第2处理区域的气氛而位于真空容器内的中心部，且形成有用于将分离气体喷出到旋转台的基板载置面侧的喷出孔；排气口，其用于将上述反应气体与扩散到上述分离区域两侧的分离气体以及从上述中心部区域喷出的分离气体一起排出；基板冷却部，其在上述真空容器内为了冷却上述基板而对基板喷射氮气或惰性气体。2. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，在上述基板载置部上设有用于升降上述基板的升降机构；上述升降机构由3根以上的升降销构成。3. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，在利用上述分离气体供给部供给第l分离气体的分离区域包括顶板，其与上述旋转台的、形成有基板载置部的面相对设置；第2分离气体供给部，其用于从上述旋转台的中心部区域供给用于分离上述第l反应气体和上述第2反应气体的第2分离气体；排气口，其设置在比旋转台低的位置上，用于通过上述旋转台的周缘和上述真空容器的内周壁之间的间隙排出上述第1反应气体、上述第2反应气体、上述第l分离气体及上述第2分离气体。4. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，'为了将上述基板从上述真空容器的外部输送到真空容器的内部，在上述真空容器的侧壁上设置由闸阀开闭的输送口 。5. 根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，上述输送口处的上述基板的输送利用输送臂进行。6. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，上述冷却部设置在上述基板载置部的正上方。7. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，上述基板载置部在上述基板旋转台的表面形成为凹状；上述旋转台的表面和载置在上述基板载置部上的上述基板的表面为相同高度，或者基板的表面位于比旋转台的表面低的位置。8. 根据权利要求l所述的成膜装置，其特征在于，该成膜装置还具有用于对上述旋转台进行加热的加热部。9. 根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，上述加热部设置在上述旋转台的下方。10. 根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，上述加热部设置在上述旋转台的上方。11. 一种成膜装置，通过多次进行将相互反应的至少2种反应气体依次供给到基板表面上的循环，从而层叠反应生成物而形成薄膜，其特征在于，上述成膜装置包括旋转台，其设置在真空容器内；多个基板载置部，其是为了将上述基板载置在上述旋转台的同 一 圆周上而设置在旋转台上的；加热部，其用于对上述旋转台进行加热；第l反应气体供给部，其设于上述真空容器内的、形成有上述基板载置部的一侧，用于供给第l反应气体；第2反应气体供给部，其设于上述真空容器内的、形成有上述基板载置部的一侧，且设于相对于上述第l反应气体供给部离开的位置，用于供给第2反应气体；第l分离气体供给部，其为了分离由上述第l反应气体供给部供给第l反应气体的第l处理区域和由上述第2反应气体供给部供给第2反应气体的第2处理区域而设置在第l处理区域和第2处理区域之间，用于供给第l分离气体；输送口 ，其为了将上述基板从上述真空容器的外部输送到真空容器的内部而设置在上述真空容器的侧壁上，由闸阀进行开闭；基板保持臂，其是由用于在上述输送口输送上述基板的2根棒状的保持部构成的输送臂，在一个保持部上设有至少l个用于保持上述基板的基板保持部，在另 一个保持部上设有至少2个用于保持上述基板的基板保持部；基板冷却部，其在上述真空容器内为了冷却上述基板而...
【专利技术属性】
技术研发人员：本间学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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