成膜装置、基板处理装置、成膜方法制造方法及图纸

技术编号:4137212 阅读:225 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种成膜装置、基板处理装置、成膜方法。该成膜装置是在真空容器(1)内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置,包括:旋转台;从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部;设于第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部;包括第1反应气体供给部并具有第1高度的第1空间;包括第2反应气体供给部并具有第2高度的第2空间;包括第1分离气体供给部并具有比第1高度和第2高度低的高度的第3空间;检测旋转台的旋转位置的位置检测部件;设于旋转台的周缘、被位置检测部件检测的被检测部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及,特别是 涉及交替地供给至少两种原料气体而形成薄膜的成膜装置、基 板处理装置、成膜方法。
技术介绍
作为半导体制造工艺中的成膜方法,公知有如下工艺在真空气氛下使第l反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆(以 下称为晶圓)等的表面上之后,将供给的气体切换为第2反 应气体,通过两种气体的反应形成l层或多层原子层、分子层, 通过多次进行该循环而层叠这些层,向基板上进行成膜。该工 艺例如净皮称为ALD ( AtomicLayerDeposition ) 或MLD (Molecular LayerDeposition)等,按照循环数能高精度地 控制膜厚,并且,膜质的面内均匀性也良好,是能应对半导体 器件薄膜化的有效方法。作为适合这样的成膜方法的例子,例如可以举出栅极氧化 膜所使用的高电介质膜的成膜。举一个例子,在形成氧化硅膜 (Si02膜)的情况下,作为第l反应气体(原料气体),例如可 以使用双叔丁基氨基硅烷(以下称为「BTBAS」)气体等,作 为第2反应气体(氧化气体)可以使用臭氧气体等。作为实施这种成膜方法的装置,人们研究了使用在真空容 器的上部中央具有气体簇射头(shower本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置,其在真空容器内将包括第1反应气体和第2反应气体的至少两种原料气体按顺序供给并且进行上述至少两种上述原料气体按顺序供给的供给循环,从而形成薄膜,其特征在于, 包括: 旋转台,能旋转地设于上述真空容器内,具有载置基板的基板载置 部; 第1反应气体供给部和第2反应气体供给部,为了供给上述第1反应气体和上述第2反应气体,分别从上述旋转台的周缘的互相不同的位置朝向旋转中心设置; 第1分离气体供给部,为了供给分离上述第1反应气体和上述第2反应气体的第1分离气体,从上述 第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部之间的上述旋转台的周缘位置朝向旋转中心设置; 第1下表面区域,其是包括...

【技术特征摘要】
JP 2008-9-4 2008-227031;JP 2009-6-2 2009-1331531.一种成膜装置,其在真空容器内将包括第1反应气体和第2反应气体的至少两种原料气体按顺序供给并且进行上述至少两种上述原料气体按顺序供给的供给循环,从而形成薄膜,其特征在于,包括旋转台,能旋转地设于上述真空容器内,具有载置基板的基板载置部;第1反应气体供给部和第2反应气体供给部,为了供给上述第1反应气体和上述第2反应气体,分别从上述旋转台的周缘的互相不同的位置朝向旋转中心设置;第1分离气体供给部,为了供给分离上述第1反应气体和上述第2反应气体的第1分离气体,从上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部之间的上述旋转台的周缘位置朝向旋转中心设置;第1下表面区域,其是包括上述第1反应气体供给部的上述真空容器的顶板的下表面,设于距上述旋转台的距离为第1高度的位置;第1空间,其形成在上述第1下表面区域和上述旋转台之间;第2下表面区域,其是包括上述第2反应气体供给部的上述顶板的下表面,设于距上述旋转台的距离为第2高度的离开上述第1下表面区域的位置;第2空间,其形成在上述第2下表面区域和上述旋转台之间;第3下表面区域,其是包括上述第1分离气体供给部并沿着上述旋转台的旋转方向位于上述第1分离气体供给部的两侧的上述顶板的下表面,设于距上述旋转台低于上述第1高度和上述第2高度的第3高度的位置;狭窄的第3空间,其形成在上述第3下表面区域和上述旋转台之间,具有供从上述第1分离气体供给部供给来的上述第1分离气体在上述第1空间和上述第2空间中流动的上述第3高度;位置检测部件,用于检测上述旋转台的旋转位置;被检测部,其设于上述旋转台的周缘,被上述位置检测部件检测;中心部区域,其是上述顶板的下表面,设有第2分离气体供给部,该第2分离气体供给部用于将分离上述第1反应气体和上述第2反应气体的第2分离气体供给到上述旋转台的旋转中心的上述基板载置部侧;排出口,用于将上述第1反应气体和上述第2反应气体与喷出到上述第3空间的两侧的上述第1分离气体和自上述中心部区域喷出的上述第2分离气体一起排出。2. 根据权利要求l所述的成膜装置,其特征在于,上述位置检测部件是激光传感器。3. 根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,上述激光传感器通过该激光传感器和上述旋转台的表面之间的距离的变化来4全测上述#皮检测部。4. 根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,上述被检测部包括设于上述旋转台的表面、距该表面具有互相不同的高度差的第l和第2台阶部,上述第2台阶部沿着上述旋转台的上述旋转方向而与上述第l台阶部的后方相接地设置。5. 根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,上述位置;f企测部件还包括具有发光元件和受光元件、检测上述旋转台的旋转轴的旋转位置的光电传感器;设在上述旋转轴的侧周面、通过在上述发光元件和上述受光元件之间进行遮光而被上述光电传感器4全测的遮光部。6. 根据权利要求5所述的成膜装置,其特征在于,上述祐:检测部设于上述旋转台的表面、包括距该表面具有高度差的台阶部。7. 根据权利要求l所述的成膜装置,其特征在于,上述被检测部是被设在上述旋转台的上表面的周缘侧的径向的划线。8. 根据权利要求l所述的成膜装置,其特征在于,在上述旋转台的旋转中心的下侧具有用于供给将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的第3分离气体的第3分离气体供给部。9. 根据权利要求l所述的成膜装置,其特征在于,在上述真空容器的底面和上述旋转台之间具有供给将上述第l反应气体和上述第2反应气体分...

【专利技术属性】
技术研发人员:加藤寿本间学羽石朋来相川胜芳
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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