【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种通过反复进行将相互反应的至少两种反应 气体依次供给到基板表面上的循环来形成层叠了反应生成物的 薄膜的成膜装置、基板处理装置及旋转台。
技术介绍
作为半导体制造工艺中的成膜方法，公知有如下工艺在真空气氛下使第l反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆(以 下称为晶圆)等的表面上之后，将供给的气体切换为第2反 应气体，通过两种气体的反应形成l层或多层原子层、分子层， 通过多次进行该循环层叠这些层，向基板上进行成膜。该工艺 例如#皮称为ALD ( Atomic Layer Deposition ) 或MLD(Molecular Layer Deposition)等，才艮!居循环凄史能高4青度;也 控制膜厚，并且，膜质的面内均勻性也良好，是能应对半导体 器件薄膜化的有效方法。作为适合这样的成膜方法的例子，例如可以举出栅才及氧化 膜所使用的高电介质膜的成膜。举一个例子，在形成氧化硅膜(Si02膜)的情况下，作为第l反应气体(原料气体)，例如可 以使用双叔丁基氨基硅烷(以下称为BTBAS)气体等，作 为第2反应气体(氧化气体)可以使用臭氧气体等。作为实施这样的...
【技术保护点】
一种成膜装置，在真空容器内将相互反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环，从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜，该成膜装置包括： 旋转台，其设置在上述真空容器内； 基板载置区域，其为了将基板载置在上述旋转台上而设置 ； 第１反应气体供给部件，其用于向上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面供给第１反应气体； 第２反应气体供给部件，其设置为沿上述旋转台的旋转方向离开上述第１反应气体供给部件，用于向上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面供给第２反应气体； 分离区域，其为了分离被供给上述第１反应气体的第１处理区域和被供给第２反应气体的第２处理区域...
【技术特征摘要】
JP 2008-9-4 2008-227029;JP 2009-8-4 2009-1818061.一种成膜装置，在真空容器内将相互反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环，从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜，该成膜装置包括旋转台，其设置在上述真空容器内；基板载置区域，其为了将基板载置在上述旋转台上而设置；第1反应气体供给部件，其用于向上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面供给第1反应气体；第2反应气体供给部件，其设置为沿上述旋转台的旋转方向离开上述第1反应气体供给部件，用于向上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面供给第2反应气体；分离区域，其为了分离被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域的气氛，而在上述旋转方向上位于第1、第2处理区域之间；该分离区域包括顶面和用于供给分离气体的分离气体供给部件，该顶面位于上述分离气体供给部件的上述旋转方向两侧，在顶面与旋转台之间形成有用于使分离气体从该分离区域向处理区域侧流动的狭窄的空间；中心部区域，其为了分离上述第1处理区域和上述第2处理区域的气氛而位于真空容器内的中心部，且形成有用于将分离气体喷出到旋转台的基板载置面侧的喷出孔；排气口，其用于将上述反应气体与扩散到上述分离区域的两侧的分离气体以及从上述中心部区域喷出的分离气体一起排出；上部固定构件及下部固定构件，能以在上述旋转台的中心部周边上下夹着上述旋转台的方式压接固定上述旋转台，上述上部固定构件由石英或陶瓷形成。2. 根据权利要求l所述的成膜装置，其中，上述下部固定构件由陶瓷形成。3. 根据权利要求l所述的成膜装置，该成膜装置包括在上述下部固定构件的至少与上述旋转台接触的区域的表 面上形成有陶瓷膜。4. 根据权利要求3所述的成膜装置，其中，上述下部固定构件与上述旋转台相接触的区域的、形成在 下部固定构件表面上的陶瓷膜的表面为镜面。5. 根据权利要求l所述的成膜装置，其中， 在上述旋转台的表面的、与上述上部固定构件及上述下部固定构件相接触的区域形成有陶瓷膜。6. 根据权利要求5所述的成膜装置，其中， 在上述旋转台的形成有陶瓷膜的区域，与上述上部固定构7. 根据权利要求3所述的成膜装置，其中， 上述陶瓷膜由氧化铝、氧化钇、氧化铝和氧化钇的混合材料中的任一种形成。8. 根据权利要求l所述的成膜装置，其中， 上述旋转台由石英、碳及陶瓷中的任一种形成。9. 一种成膜装置，通过在真空容器内将相互反应的至少两 种反应气体按顺序供给到基板表面且执行该供给循环，从而层 叠多层反应生成物的层而形成薄膜，该成膜装置包括旋转台，其设置在上述真空容器内；基板载置区域，其为了将基板载置在上述旋转台上而设置； 第l反应气体供给部件，其用于向上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面供给第l反应气体；第2反应气体供给部件，其设置为沿上述旋转台的旋转方向离开上述第l反应气体供给部件，用于向上述旋转台的上述基板的载置区域侧的面供给第2反应...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，本间学，羽石朋来，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。