成膜装置、基板处理装置及成膜方法制造方法及图纸

技术编号:4137215 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置具有旋转台、用于对真空容器进行耐腐蚀保护的保护顶板、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部以及在第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间设置的第1分离气体供给部。在成膜装置中形成包括第1反应气体供给部并具有第1高度的第1空间、包括第2反应气体供给部并具有第2高度的第2空间以及包括第1分离气体供给部并被设置成低于第1和第2高度的第3空间。成膜装置还具有为了对真空容器进行耐腐蚀保护而与保护顶板一起围绕旋转台、第1、第2和第3空间的真空容器保护部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,特 别是涉及 一 种交替地供给至少两种原料气体来形成薄膜的成膜 装置、基板处理装置、成膜方法。
技术介绍
作为半导体制造工艺中的成膜方法,公知有如下工艺在 真空气氛下使第l反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆(以 下称为晶圆)等的表面上之后,将所供给的气体切换为第2 反应气体,通过两气体的反应来形成l层或多层的原子层、分 子层,通过进行多次该循环来层叠这些层,从而在基板上进行 成月荑。该工艺例如3皮称为ALD ( Atomic Layer Deposition )、 MLD (Molecular Layer Deposition)等,能够根据循环数来 高精度地控制膜厚,并且膜质的面内均匀性也良好,是能够应 对半导体器件的薄膜化的有效的方法。作为这种成膜方法的较佳的例子,例如列举出在栅极氧化 膜中使用的高电解质膜的成膜。列举一个例子,在形成氧化硅 膜(SiOJ莫)的情况下,作为第l反应气体(原料气体)例如 使用双叔丁基氨基硅烷(以下称为BTBAS)气体等,作为第 2反应气体(氧化气体)使用臭氧气体等。作为实施这种成膜方法的装置,使用在真空容器的上部中 央具有气体簇射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置,其在真空容器内按顺序供给包括第1反应气体和第2反应气体的至少两种原料气体并且通过执行按顺序供给上述至少两种上述原料气体的供给循环来形成薄膜,该成膜装置包括: 旋转台,其能够旋转地被设置在上述真空容器内,具有用于载置基板的基板 载置部; 保护顶板,其为了保护上述真空容器免受上述第1反应气体和上述第2反应气体的腐蚀,被设置成与上述旋转台的上表面相面对; 第1反应气体供给部和第2反应气体供给部,该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部为了供给上述第1反应气体和上述 第2反应气体,分别从上述旋转台的周缘的互不相同的位置朝向旋转中心地设置; 第1分离气体供给部,其为了供给将上述第1...

【技术特征摘要】
JP 2008-9-4 2008-2270241.一种成膜装置,其在真空容器内按顺序供给包括第1反应气体和第2反应气体的至少两种原料气体并且通过执行按顺序供给上述至少两种上述原料气体的供给循环来形成薄膜,该成膜装置包括旋转台,其能够旋转地被设置在上述真空容器内,具有用于载置基板的基板载置部;保护顶板,其为了保护上述真空容器免受上述第1反应气体和上述第2反应气体的腐蚀,被设置成与上述旋转台的上表面相面对;第1反应气体供给部和第2反应气体供给部,该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部为了供给上述第1反应气体和上述第2反应气体,分别从上述旋转台的周缘的互不相同的位置朝向旋转中心地设置;第1分离气体供给部,其为了供给将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的第1分离气体,从上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部之间的上述旋转台的周缘的位置朝向旋转中心地设置;上述第1反应气体供给部的上述保护顶板的下表面具有被设置在距上述旋转台的距离为第1高度的位置的第1下表面区域,在上述第1下表面区域与上述旋转台之间形成有第1空间,包括上述第2反应气体供给部的上述保护顶板的下表面具有被设置在距上述旋转台的距离为第2高度且与上述第1下表面区域分离开的位置的第2下表面区域,在上述第2下表面区域与上述旋转台之间形成有第2空间,包括上述第1分离气体供给部且沿着上述旋转台的旋转方向位于上述第1分离气体供给部两侧的上述保护顶板的下表面具有被设置在距上述旋转台低于上述第1高度和上述第2高度的第3高度的位置的第3下表面区域,在上述第3下表面区域与上述旋转台之间形成有具有上述第3高度的第3空间,该第3空间用于使从上述第1分离气体供给部供给的上述第1分离气体流向上述第1空间和上述第2空间,该成膜装置还包括真空容器保护部,为了保护真空容器免受上述第1反应气体和上述第2反应气体的腐蚀,该真空容器保护部与上述保护顶板一起被设置成围绕上述旋转台、上述第1空间、上述第2空间以及上述第3空间;上述保护顶板的下表面具有中心部区域,该中心部区域在上述旋转台的旋转中心的上述基板载置部侧设有供给用于将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的第2分离气体的第2分离气体供给部,该成膜装置还包括排气口,用于将上述第1反应气体和上述第2反应气体与喷出到上述第3空间的两侧的上述第1分离气体和从上述中心部区域喷出的上述第2分离气体一起排出。2. 根据权利要求l所述的成膜装置,其中, 上述保护顶板和上述真空容器保护部由石英或陶瓷构成。3. 根据权利要求l所述的成膜装置,其中,述真空容器进行耐腐蚀保护的第l保护气体的第l保护气体供给部。4. 根据权利要求3所述的成膜装置,其中, 在上述真空容器的底面与上述真空容器保护部之间具有供给用于对上述真空容器进行保护的第2保护气体的第2保护气 体供给部。5. 根据权利要求l所述的成膜装置,其中,在上述旋转台的旋转中心的下侧具有用于供给将上述第1反应气体和上述第2反应气体分离的第3分离气体的第3分离气 体供给部。6. 根据权利要求l所述的成膜装置,其中, 包括支柱,其处于上述真空容器的中心部,并且被设置在上述 保护顶板的下表面与上述真空容器的底面之间;旋转套筒,其围着上述支柱,绕铅直轴线旋转自如, 其中,上述旋转套筒是上述旋转台的旋转轴。7. 根据权利要求l所述的成膜装置,其中, 被载置在上述基板载置部上的上述基板的表面处于与上述旋转台的表面相同的高度,或者上述基板的上述表面位于低于 上述旋转台的上述表面的位置上。8. 根据权利要求l所述的成膜装置,其中,用于分别向上述第l反应气体供给部、上述第2反应气体供 给部以及上述第l分离气体供给部导入气体的气体导入件被设 ...

【专利技术属性】
技术研发人员:本间学
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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