处理装置、纵型热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种处理装置、纵型热处理装置，该纵型热处理装置具有移载机构，该移载机构具有移载板，并且在该移载板的上表面载置被处理基板时，在水平保持该被处理基板的状态下使上述移载板移动。上述移载板具有沿前后方向从基端部向前端部水平延伸的悬臂支承结构。在上述移载板的上表面设有在前后方向的大致中央部与后部水平支承被处理基板的多个支承突起部。在上述移载板的前端侧不支承上述被处理基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 一 种对被处理基板实施热处理的纵型热处理装置。
技术介绍
在半导体装置的制造中，为了对被处理基板、例如半导体晶圆(以下称为晶圆)实施氧化、扩散、CVD( Chemical Vapor Deposition )等处理而使用了各种处理装置(半导体制造装置)。 而且，作为各种处理装置之一，公知有能够同时进行多片被处 理基板的热处理的成批式的纵型热处理装置。该纵型热处理装置包括热处理炉；基板支承器具(也称 为舟皿)，其将多片晶圆沿上下方向以规定间隔支承而被搬入搬出上述热处理炉；以及移载机构，其具有能够升降和旋转的基 台和支承能够进退移动地被设置在该基台上的晶圆的多片移载 板(也称为叉状件)，在以规定间隔收纳多片晶圆的收纳容器(也 称为前开式晶圓传送盒)与上述舟皿之间进行晶圆的移载(例 如，参照曰本特开2001-223254号/>才艮)。作为通过上述移载机构移载晶圆的方式，存在不具有对准 (定位)功能的软着陆方式(soft landing,平稳移载的方式)、 具有对准功能的边缘夹持方式(把持晶圓的缘部来进行正确且 迅速的移载的方式)等。另外，作为舟皿，也公知有在直径大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理装置，其具有移载机构，该移载机构具有移载板，并且在该移载板的上表面载置被处理基板时，在水平保持该被处理基板的状态下使上述移载板移动，其特征在于，　上述移载板具有沿前后方向从基端部向前端部水平延伸的悬臂支承结构，　在上述移载板的上 表面设有在前后方向的大致中央部与后部水平支承被处理基板的多个支承突起部，　在上述移载板的前端侧不支承上述被处理基板。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-5 2008-2284291.一种处理装置，其具有移载机构，该移载机构具有移载板，并且在该移载板的上表面载置被处理基板时，在水平保持该被处理基板的状态下使上述移载板移动，其特征在于，上述移载板具有沿前后方向从基端部向前端部水平延伸的悬臂支承结构，在上述移载板的上表面设有在前后方向的大致中央部与后部水平支承被处理基板的多个支承突起部，在上述移载板的前端侧不支承上述被处理基板。2. 根据权利要求l所述的处理装置，其特征在于， 在上述移载板的比上述大致中央部的支承突起部靠近前端侧的区域中，在上述移载板的下表面设有台阶，该区域的厚度 被形成为比其它部分的厚度薄。3. 根据权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于， 上述支承突起部由耐热性树脂形成为扁平的小圆形状。4. 根据权利要求1至3中的任一项所述的处理装置，其特征 在于，上述移载板俯视呈大致U字状，在上述移载板的上表面的左右两个部位设有上述大致中央 部的支承突起部，在上述移载板的基端侧的中央一个部位设有上述后部的支 承突起部。5. 根据权利要求1至4中的任一项所述的处理装置，其特征 在于，在上述移载板的前端的上表面上设有限制片，该限制片进 行限制使得上述被处理基板的周缘部不向前方方向和左右方向 移动，在上述移载板的基端侧设有能够进退的把持机构，该把持机构在其与上述限制片之间把持被处理基板并进行限制使得被 处理基纟反不向后方方向移动。6. —种纵型热处理装置，其特征在于，包括 基板支承...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅利聪，高桥喜一，安部俊裕，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]