在陶瓷制的载置台主体（７２）的内部埋设有被馈电导体部（９４、９６）。在载置台主体（７２）的表面形成有凹部形态的连接孔（１１２），由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子（１１０）从该连接孔（１１２）的内部露出。...

公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。

公开一种方法，是在基板位置检测装置中对拍摄基板摄像面上的摄像部件的摄像区域的坐标的配置进行调整的摄像部件调整方法，该基板位置检测装置被配置在载置基板的可转动的载置台和基板交接装置的附近，该基板交接装置与载置台分开准备，并构成为相对于载置...

本发明提供一种处理装置，当在处理容器内使处理气体流动对被处理体进行处理时，能够使处理的面内均匀性提高，并且能够抑制颗粒向被处理体的附着，处理装置的载置台被设置在处理容器的内部，用于载置被处理体；处理气体供给单元用于从该载置台的上方侧供给...

本发明提供一种气化装置、成膜装置和成膜方法，在对基板供给使液体材料气化了的气体材料，进行成膜处理时，可以高效率气化液体材料，并抑制颗粒的产生。在用于对基板进行成膜处理的液体材料中，产生带有正电或负电且粒径为１０００ｎｍ以下的气泡，使该液...

本发明涉及等离子体处理装置。等离子体监测装置（１００）具备测定部（１０１）和与该测定部（１０１）连接的同轴电缆（１０２）。同轴电缆（１０２）的一端被插入到处理室（２）内的等离子体生成区域内。同轴电缆（１０２）的前端部分为探针，该部分是芯...

本发明提供基板输送装置、基板输送组件、基板输送方法以及计算机可读存储介质。该公开的基板输送装置包括在保持基板的保持部连结有旋转自由的臂部的关节型输送臂，该基板输送装置包括加热部、温度检测部和控制部；上述加热部构成为加热臂部；上述温度检测...

本发明提供位置偏移检测装置以及使用了该装置的处理系统。该位置偏移检测装置设置在将多个臂部可互相回转地串联连接起来、并在最顶端的臂部保持被处理体从而输送被处理体的输送机构上，用于检测被处理体的位置偏移，其特征在于，包括边缘检测部件和位置偏...

本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰...

本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读存储介质。其中，基板处理装置通过输送室内的基板输送部将基板自载置在搬入搬出口上的搬运容器内取出后交接给处理组件，并在该处理组件内进行基板的处理。该基板处理装置包括以与该输送室相连通的方式...

本发明提供一种基板处理方法，能够提高硅层相对于作为掩模层的氧化膜层的蚀刻选择比。将包括作为掩模层的ＳｉＯ２层（６２）和作为处理对象层的硅层（６１）的晶片Ｗ搬入到处理模块（２５）的腔室（４２）内，利用由ＮＦ３气体、ＨＢｒ气体、Ｏ２气体和Ｓ...

本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有ＣＦ４气体、ＣＨＦ３气体和Ｃ４Ｆ８气体的混合气体，...

本发明提供能够抑制小流量气体到达处理腔室的时间产生较大延迟，能够更快地对气体使用对象供给规定的混合气体的混合气体的供给方法和混合气体的供给装置。该混合气体的供给方法，经由连接在共同配管（１０）上的多个个别气体供给管道（１Ａ～１Ｐ）供给多...

本发明提供一种混合气体的供给方法和混合气体的供给装置，在使用通过加热液体原料使其气化而成的液体原料气体的情况下，与现有技术相比，能够减少在利用加热器进行的加热中所需的电量，能够实现节能化。在同时供给从气体供给源以气体状态供给的通常气体和...

本发明提供防止异物向其它构成部件附着并且能够方便地清洗构成部件的构成部件的清洗方法。晶片干洗装置（１０）包括：处理室（１１）、设置在该处理室（１１）内的下方用于载置晶片（Ｗ）的载置台（１２）、处理室（１１）内与载置台（１２）相对配置的附...

本发明提供一种在高生产率的系统中削减无用的时间、具有交接基板的功能且迅速将高温基板降温调节至规定温度的基板处理装置。其包括加热处理晶圆（Ｗ）的加热处理部、自加热处理部接收由加热处理部加热处理后的晶圆并将其载置于交接部的第１输送臂（Ａ１）...

本发明提供一种真空处理装置、真空处理系统和处理方法，真空处理装置即使被处理体大型化也能极力抑制真空处理容器的尺寸，真空处理系统能不使用大型搬送臂向真空处理装置搬送被处理体。从第一真空搬送装置（２００ａ）内向等离子体处理装置（１００）内浮...

本发明提供异物除去装置和异物除去方法。异物除去方法，能使向被处理基板的热量输入适当而消除不必要的加热、消除多余的处理从而缩短处理时间。该异物除去方法包括：测定用激光照射步骤，对被处理基板照射外径尺寸测定用的激光；输出检测步骤，使在测定用...

本发明提供一种在对基板（Ｇ）进行等离子体处理时，在与载置台本体的升降销的插通孔对应的位置不易产生处理不均匀的基板载置台（４）。在等离子体处理中载置基板（Ｇ）的基板载置台（４）通过由绝缘部件构成的隔板（７）而配置在处理容器（２）内，使得在...

本发明提供一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜。该钨膜形成方法包括：向处理容器中供给ＳｉＨ４气体的初始化工序；交替重复进行向处理容器中供给ＷＦ６气体的步骤和向处理容器中供给Ｂ２Ｈ６气体的步骤，并在两步骤之间插入向处理...