本发明专利技术提供异物除去装置和异物除去方法。异物除去方法，能使向被处理基板的热量输入适当而消除不必要的加热、消除多余的处理从而缩短处理时间。该异物除去方法包括：测定用激光照射步骤，对被处理基板照射外径尺寸测定用的激光；输出检测步骤，使在测定用的激光中除被基板的端部遮挡的激光外余下的激光受光并检测激光的输出；旋转角检测步骤，检测旋转的基板的旋转角；计算步骤，基于由输出检测步骤检测出的数据和由旋转角检测步骤检测出的数据计算基板的外径尺寸；分解步骤，基于算出的外径尺寸，从基板外周端对规定范围基板表面，照射照射截面为矩形的异物清洗用激光，喷射与异物反应的处理气体，分解、除去附着于规定范围的基板表面的异物。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及异物除去装置、异物除去方法和存储介质，特别是涉及将附着于等离子体蚀刻处理后的半导体基板的异物除去的。
技术介绍
在使用由CF类处理气体生成的等离子体对作为基板的晶片实施等离子体处理，例如等离子体蚀刻处理时，有时由CF类处理气体导致的CF类沉积物会附着于晶片表面。虽然可以通过等离子体(阳离子)溅射除去附着于晶体表面的CF类沉积物，但是由于晶片的周缘部(以下，称为"斜面(bevel)部")难以被等离子体溅射，因此不能除去附着的CF类沉积物。 于是，通常使用后处理装置除去附着于斜面部的CF类沉积物。具体而言，在后处理装置中，对晶片的斜面部照射例如cp0.6的激光照射斑并加热斜面部，并且向该斜面部供给臭氧气体，通过化学反应将CF类沉积物分解成CO、 C02、 F2除去。 如上述使用激光除去、清洗附着于晶片周缘部的异物的后处理装置中，高速地进行异物除去处理时，由于温度急剧上升，有可能导致有机物以外的物质从晶片表面剥离。另一方面，缓慢地进行处理时，不仅会延长处理时间，还会导致从晶片的周缘部向表面传递的热量增加，对晶片表面的芯片也产生不良的影响。因此，希望开发一种技术，能够排除不必要的处理，尽可能縮短处理时间，并且使向作为被处理基板的晶片的热量输入适当，高效地除去附着于晶片的异物。 另一方面，专利文献1为公开了以下现有技术的公知文献，即，通过调节激光源相对于被处理基板，即晶片的位置来优化处理。专利文献1公开了一种基板处理装置，包括将晶片W大致水平地保持并旋转的真空卡盘、和对由真空卡盘保持的晶片W的周缘部与周端面照射激光的光蚀刻装置，从根据晶片的外径尺寸而定位的蚀刻装置对由真空卡盘支承并旋转的晶片W的周缘部照射Xe激光，从而将附着于晶片W的周缘部和周端面的铜薄膜除去。 专利文献1 :日本特开2003-197570号公报 然而，上述现有技术，除基板处理用的激光照射装置之外，还需要用于检测被处理基板的外径的专用检测机构，不仅有可能使装置复杂且大型化，还有可能无法实现对被处理基板的热量输入的优化，使得被处理对象面以外的基板表面受到过度加热。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种异物除去装置、使用该装置的异物除去方法和存储介质，该异物除去装置能够将附着于实施规定处理的基板的异物除去，能够使输入被处理基板的热量适当，消除不必要的加热，从而排除多余的处理，縮短处理时间。 为了实现上述目的，本专利技术第一方面的异物除去装置，包括载置基板并旋转的载置台；和对载置于该载置台并旋转的上述基板照射异物清洗用激光、将附着于上述基板表面的异物除去的激光照射部，上述激光照射部对上述基板表面照射照射截面为矩形的激光。 本专利技术第二方面的异物除去装置，其特征在于，在第一方面的异物除去装置中，上述激光的矩形照射截面，以上述激光的扫描方向为长边的方式形成。 本专利技术第三方面的异物除去装置，其特征在于，在第一方面的异物除去装置中，上述激光的矩形照射截面，以上述激光的扫描方向为短边的方式形成。 为了达到上述目的，本专利技术第四方面的异物除去方法，其使用异物除去装置将附着于基板的异物除去，上述异物除去装置包括载置基板并旋转的载置台；和对载置于该载置台并旋转的上述基板照射异物清洗用激光将附着于上述基板表面的异物除去的激光照射部，上述异物除去方法的特征在于具有从上述激光照射部对上述基板表面照射照射截面为矩形的激光的照射步骤。 本专利技术第五方面的异物除去方法，其特征在于，在第四方面的异物除去方法中，上述激光的矩形照射截面，以上述激光的扫描方向为长边的方式形成。 本专利技术第六方面的异物除去方法，其特征在于，在第四方面的异物除去方法中，上述激光的矩形照射截面，以上述激光的扫描方向为短边的方式形成。 为了实现上述目的，本专利技术第七方面的异物除去方法，其使用异物除去装置将附着于基板的异物除去，上述异物除去装置包括载置基板并旋转的载置台；对载置于该载置台并旋转的上述基板照射异物清洗用激光、将附着于上述基板表面的异物除去的激光照射部；和对从上述激光照射部照射的激光的输出进行检测的激光受光部，上述异物除去方法的特征在于，包括测定用激光照射步骤，从上述激光照射部对载置于上述载置台并旋转的上述基板的端部照射上述基板的外径尺寸测定用激光；输出检测步骤，在上述被照射的外径尺寸测定用激光中，除被上述基板的端部遮挡的激光外余下的激光，由上述激光受光部接收，以检测激光的输出；旋转角检测步骤，检测上述旋转的基板的旋转角；计算步骤，基于在上述输出检测步骤中检测出的上述外径尺寸测定用激光输出数据、和在上述旋转角检测步骤中检测出的旋转角数据，计算上述基板的外径尺寸；和分解步骤，基于上述计算出的外径尺寸，对上述基板的从外周端起规定范围的基板表面，照射来自上述激光照射部的照射截面为矩形的异物清洗用激光，并且喷射与上述异物进行反应的处理气体，将附着于上述规定范围的基板表面的异物分解、除去。 本专利技术第八方面的异物除去方法，其特征在于，在第七方面的异物除去方法中，上述异物清洗用激光的矩形照射截面，以该激光的扫描方向为长边的方式形成。 本专利技术第九方面的异物除去方法，其特征在于，在第七方面的异物除去方法中，上述异物清洗用激光的矩形照射截面，以该激光的扫描方向为短边的方式形成。 本专利技术第十方面的异物除去方法，其特征在于，在第七方面至第九方面的任一方面的异物除去方法中，上述规定范围，至少是上述基板的斜面部和背面平面部，对于各个部，变更上述异物清洗用激光的照射条件。 本专利技术第十一方面的异物除去方法，其特征在于，在第十方面的异物除去方法中，将向上述斜面部的上述异物清洗用激光的照射方向，设定为沿上述斜面部的截面圆弧状的法线的方向；将向上述背面平面部的上述异物清洗用激光的照射方向，设定为与上述背面平面部垂直的方向。5 本专利技术第十二方面的异物除去方法，其特征在于，在第十一方面的异物除去方法中，将上述斜面部的上述异物清洗用激光的扫描速度，设定为比上述背面平面部的上述异物清洗用激光的扫描速度慢；或者，将上述斜面部的上述异物清洗用激光的输出，设定为比上述背面平面部的上述异物清洗用激光的输出大。 为了实现上述目的，本专利技术第十三方面的存储介质，其能够通过存储有利在计算机中执行异物除去方法的程序的计算机读取，上述异物除去方法使用异物除去装置将附着于基板的异物除去，上述异物除去装置包括载置基板并旋转的载置台、和对载置于该载置台并旋转的上述基板照射异物清洗用激光将附着于上述基板表面的异物除去的激光照射部，上述存储介质的特征在于上述异物除去方法包括照射步骤，从上述激光照射部对上述基板表面照射照射截面为矩形的激光。 为了实现上述目的，本专利技术第十四方面的存储介质，一种存储介质，其能够通过存储有在计算机中执行异物除去方法的程序的计算机读取，上述异物除去方法使用异物除去装置将附着于基板的异物除去，上述异物除去装置包括载置基板并旋转的载置台、和对载置于该载置台并旋转的上述基板照射异物清洗用激光将附着于上述基板表面的异物除去的激光照射部，上述存储介质的特征在于，上述异物除去方法包括测定用激光照射步骤，从上述激光照射部对载置于上述载置台并旋转的上述基板的端部照射上述基板的外径尺寸测定用的激光；输出检测步骤，在上述被照射的外径尺寸测定用的激光中，除被上述本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种异物除去装置，其特征在于，包括：载置基板并旋转的载置台；和对载置于该载置台并旋转的所述基板照射异物清洗用激光、将附着于所述基板表面的异物除去的激光照射部，所述激光照射部对所述基板表面照射照射截面为矩形的激光。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：近藤昌树，新藤健弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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