东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括载置有收容了多枚基板的输送容器的装载部、以及保管输送容器的容器保管部,其中,能够谋求增大输送容器在装载部中的交接次数,由此,能够以较高的生产率处理基板。该基板处理装置利用分别沿着横向位置互不...
  • 本发明供给一种功率效率更良好的感应耦合等离子体处理装置。该处理装置具有:处理室,容纳被处理基板并实施等离子体处理;载置台,在处理室内载置被处理基板;处理气体供给系统,向处理室内供给被处理气体;排气系统,对处理室内的气体进行排气;天线电路...
  • 本发明提供一种不会产生图案毁坏的基板清洗方法。在清洗、除去附着在晶片(W)表面的颗粒(P)的基板清洗方法中,具有:加热晶片(W)通过热应力使附着在晶片(W)表面的颗粒(P)从晶片(W)表面剥离的加热步骤;通过晶片(W)表面附近产生的温度...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的制造装置,能够修复被曝露在CO2等离子体中的低介电常数绝缘膜的损伤,使低介电常数绝缘膜成为良好的状态,从而可提高半导体器件的性能和可靠性。本发明的半导体器件的制造方法包括:对在基板上形成...
  • 本发明提供一种成膜方法,利用反复进行下述工序的ALD(AtomicLayer Deposition)法,在基板上形成Cu膜:将蒸汽压高,对衬底湿润性好的Cu羧酸络合物或其衍生物气化,作为原料气体使用,且使用H↓[2]作为还原气体,使原料...
  • 本发明提供液处理装置和液处理方法,用干燥抑制溶剂将不使用的涂敷液喷嘴前端部密封,能够简单地将用于防止长时间干燥的处理调整为最佳状态,在根据吸引溶剂层的量设定的长时间内,可以不进行虚拟分液。本发明的液处理装置(方法)用于进行液处理,在该液...
  • 将曝光完毕的基板保持于旋转吸盘并使其绕铅直轴旋转,一边从显影液喷嘴喷出显影液,一边从晶片外缘朝向中央部移动显影液喷嘴,由此向晶片表面供给显影液,其中所述显影液喷嘴具有纵长方向朝向晶片半径方向的垂直方向的狭缝状的喷出口。与使用具有小径圆形...
  • 本发明提供一种成膜装置,包括:旋转台,具有载置基板的基板载置区域;真空容器,具有收纳旋转台的容器主体和气密地堵在该容器主体上表面上的顶板;开闭顶板的开闭机构;多个反应气体喷嘴,被支承在外周壁上,设置成贯穿真空容器的容器主体的外周壁而与基...
  • 本发明提供一种包括能够旋转地设置在真空容器内的旋转台的成膜装置。第1和第2反应气体供给部分别向旋转台的一个面供给第1和第2反应气体。从分离气体供给部向被供给第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域之间的分离区域喷出第...
  • 本发明提供一种载置台,即使因使用高电压、高电流的电特性检查而使顶板(载置体)变色,也能够只需更换载置台的载置体,而不需要更换其它构成部件,能够削减更换费用的载置台。本发明的载置台(20),为了对鼓面状晶片(W)的电特性检查、将鼓面状晶片...
  • 本发明提供一种涂敷处理方法、程序、计算机存储介质和涂敷处理装置,能够在基板面内均匀地涂敷涂敷液并能够降低涂敷液的供给量。首先,向晶片(W)的中心部供给纯水(P)。然后,向纯水(P)的中心部供给表面张力比纯水(P)的表面张力低的溶剂(Q)...
  • 本发明提供载置台机构、等离子体处理装置和电压施加方法。该载置台机构通过减小在向吸盘电极施加直流电压时和切断直流电压时的吸盘等效电路的时间常数,使电荷的蓄积和电荷的释放分别得以迅速地进行。在处理容器(52)内载置被进行等离子体处理的被处理...
  • 本发明提供一种抑制微波传输路径的变动的微波等离子处理装置以及微波的供给方法。微波等离子处理装置(10)利用自径向线缝隙天线(205)放出的微波的电场能量激发气体,等离子处理基板(G)。微波等离子处理装置(10)包括在内部进行等离子处理的...
  • 本发明提供一种微波等离子处理装置。防止构成微波等离子处理装置的微波天线的缝隙板的热变形,抑制作为目标的微波的传播的变动,提高上述装置的稳定性及可靠性,并且也提高上述微波天线的冷却效率。在构成微波等离子处理装置的微波天线中,利用一对金属体...
  • 本发明提供一种探测器装置。该探测器装置在载置台上载置基板,使探测卡的探针与基板的电极焊盘接触而测定芯片的电特性,其中,通过削减在进行上述拍摄之前实施的拍摄作业所需的区域而使整个装置小型化。该探测器装置包括:下侧摄像部,设置在晶圆卡盘的侧...
  • 本发明提供一种在使用维护用基板进行检查部的维护作业时能抑制处理能力降低的探测器装置。其包括:具有臂体(35(36))的晶圆搬送臂(3);对从FOUP(100)取出的晶圆(W)的朝向和中心进行位置对合的预对准机构(40);具有从晶圆搬送臂...
  • 本发明提供处理装置及处理方法。该处理装置包括:搬入容纳容器的搬入区域、维持为与该搬入区域不同的气氛的移载区域、划分搬入区域和移载区域的隔离壁、形成于隔离壁上的开口部、用于开闭开口部的门、将容纳容器配置在搬入区域侧的载置部,上述容纳容器容...
  • 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。在立式批量型CVD装置中,成膜方法构成为反复多次循环并将每次循环形成的薄膜进行层叠。循环是交替地进行以下工序:吸附工序,其用于使原料气体吸附在被处理基板的表面上;以及反应工序,其用于使反应气体与吸附原料...
  • 本发明提供一种气体注入装置及成膜装置。该气体注入装置的注入装置主体具有气体导入口并构成气体流路,气体流出孔沿着上述注入装置主体的长度方向在注入装置主体的壁部排列有多个,引导构件被设置成在引导构件与上述注入装置主体的外表面之间形成沿上述注...
  • 本发明提供一种成膜装置,其在真空容器内将相互反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上且执行该供给循环,从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜。成膜装置包括:旋转体;旋转机构;载置台;第1反应气体供给部件;第2反应气体供给部件;分离区...